[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201610642239.8 | 申请日： | 2016-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN107706104A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 呼翔;施平;李强;朱建校;徐培明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法。所述方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层包括第一材料层和位于所述第一材料层下方的第二材料层；在所述待刻蚀材料层上形成具有第一窗口的掩膜层，所述第一窗口具有第一宽度，所述第一宽度小于所述待刻蚀材料层的预定刻蚀宽度；刻蚀所述第一材料层，以在所述第一材料层中形成第二窗口，所述第二窗口的宽度等于所述第一宽度；采用湿法刻蚀刻蚀所述第二材料层；去除所述掩膜层；以及对所述第一材料层进行湿法刻蚀，以使得所述第二窗口的宽度等于所述预定刻蚀宽度。该方法可以避免由于待刻蚀材料层中的端切现象而导致半导体器件失效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层包括第一材料层和位于所述第一材料层下方的第二材料层；在所述待刻蚀材料层上形成具有第一窗口的掩膜层，所述第一窗口具有第一宽度，所述第一宽度小于所述待刻蚀材料层的预定刻蚀宽度；刻蚀所述第一材料层，以在所述第一材料层中形成第二窗口，所述第二窗口的宽度等于所述第一宽度；采用湿法刻蚀刻蚀所述第二材料层；去除所述掩膜层；以及对所述第一材料层进行湿法刻蚀，以使得所述第二窗口的宽度等于所述预定刻蚀宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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