[发明专利]一种化学气相沉积反应器有效
| 申请号： | 201610805996.2 | 申请日： | 2016-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN106191808B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 于伟华;田新;张春伟;江扣龙;王彬 | 申请（专利权）人： | 江苏协鑫特种材料科技有限公司;江苏鑫华半导体材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/32 | 分类号： | C23C16/32;C23C16/458 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 肖明芳 |
| 地址： | 221000 江苏省徐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种化学气相沉积反应器，包括反应器壳体和反应器壳体内部的内胆，所述内胆和壳体之间设有加热装置，反应器壳体的底部为底盘，底盘上设有支架，支架上设有托架，反应器壳体的底部设有进气装置，反应器壳体的顶部设有排气装置。所述加热装置和反应器壳体之间设有隔热部件。所述底盘中部设有转动盘，转动盘上端连接到支架，转动盘下端连接转动部件。所述进气装置包括设置在底盘上的反应气体进口和稀释气体进口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 沉积 反应器 | ||
【主权项】：
1.一种化学气相沉积反应器，其特征在于，包括反应器壳体(5)和反应器壳体(5)内部的内胆(12)，所述内胆和反应器壳体(5)之间设有加热装置(7)，反应器壳体(5)的底部为底盘(3)，底盘(3)上设有支架(10)，支架(10)上设有托架(11)，反应器壳体(5)的底部设有进气装置，反应器壳体(5)的顶部设有排气装置；支架(10)和托架(11)为镂空结构，石墨支架侧壁均匀分布若干个孔(16)；所述加热装置(7)和反应器壳体(5)之间设有隔热部件(6)；所述底盘(3)中部设有转动盘，转动盘上端连接到支架(10)，转动盘下端连接转动部件(15)；所述进气装置包括设置在底盘上的反应气体进口(8)和稀释气体进口(9)；所述进气装置包括底部气体分布器(13)；所述排气装置为设置在反应器壳体(5)顶部的尾气出口(4)；所述排气装置包括顶部气体分布器(14)；所述隔热部件(6)为石墨板拼接而成的隔热层；所述转动部件(15)通过骨架油封进行密封。
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- 强新发;王章忠;巴志新;章晓波;张保森 - 南京工程学院
- 2016-01-18 - 2018-02-02 - C23C16/32
- 本发明公开了一种制备竹节状SiC纳米线的方法，将打磨抛光烘干后的块状石墨材料置于沉积炉中，低压1kPa下通电升温至预定温度后，向装有甲基三氯硅烷的鼓泡瓶中通入载气氢气，将反应气源带入炉堂内进行反应。沉积结束后随炉冷却至室温，即可得到大量高纯竹节状SiC纳米线。本发明制备工艺简单，不需要预先合成工艺；沉积温度较低，降低了能耗和制备成本；制备的竹节状SiC纳米线纯度较高；可通过工艺参数的调节实现竹节状SiC纳米线的可控生长，易于实现工业生产；解决了现有技术中竹节状SiC纳米线制备工艺较为复杂、合成温度高、能耗大、成本高、产物难以控制的问题。
- ZrC涂层的制备方法-201510146834.8
- 胡海峰;马新;陈思安;张玉娣;何新波;曲选辉;李广德;李勇 - 中国人民解放军国防科学技术大学
- 2015-03-31 - 2017-07-07 - C23C16/32
- 本发明公开了一种ZrC涂层的制备方法，包括（1）基体材料表面处理；（2）样品摆放，将基体材料、金属锆分别置于化学气相沉积炉的沉积区和卤化反应区；（3）系统升温，将沉积区升温至沉积温度，卤化反应区升温至卤化反应温度；（4）ZrC涂层的制备，向化学气相沉积炉中先通入H2稳定气流，然后通过载气Ar将Br2蒸气带入卤化反应区与金属锆发生原位卤化反应，生成锆源先驱体ZrBr4蒸气，再向炉中通入碳源气体，在沉积区的基体材料表面沉积制得ZrC涂层。本发明的制备方法工艺简单，成本低，便于操作，适用范围广，可实现对锆源先驱体用量的精确控制，制备的ZrC涂层接近化学计量比。
- 一种CVD碳化硅材料的制备方法-201710049992.0
- 涂溶;徐青芳;章嵩;张联盟 - 武汉理工大学
- 2017-01-23 - 2017-06-13 - C23C16/32
- 本发明涉及一种CVD碳化硅材料的制备方法，包含如下步骤将基板置于冷壁式化学气相沉积腔体中的加热台上，将真空度调至10Pa以下，预热基板，保温。以稀释气Ar将前驱体HMDS带入反应腔体，调节反应腔体压强(Pdep)至400～800Pa；打开激光，照射基板，激光波长为808nm；调节激光功率，使基板温度升(Tdep)至1100～1200℃，沉积薄膜，保温；停止通入HMDS和Ar，关闭激光，抽真空至10Pa以下，并自然冷却至室温。本发明的有益效果是沉积碳化硅材料的同时，抑制了杂质碳的生成，提高材料的电阻率、击穿电场强度和抗腐蚀等理化性能；电阻率可高于含有杂质碳的碳化硅材料2个数量级。
- 燃料电池的隔膜的涂覆方法及燃料电池的隔膜-201610060125.2
- 金甫炅;梁酉彰;白硕玟;李致承;崔光勋;吕寅雄;徐知延;桑贾伊·马瑟;雅库普·格努吕;安德烈亚斯·梅滕伯格尔;托马斯·菲舍尔 - 现代自动车株式会社;科隆大学
- 2016-01-28 - 2017-05-24 - C23C16/32
- 本发明涉及一种燃料电池的隔膜的涂覆方法及燃料电池的隔膜。提供了涂覆燃料电池的隔膜的方法，其包括使金属碳化物前驱物蒸发以获得前驱物气体；将包含前驱物气体的形成金属碳化物涂覆层的气体引入反应室中；并且将电压施加至反应室使得前驱物气体变为等离子态，从而在基片的任一表面或两个表面上形成金属碳化物涂覆层。在这种情况下，金属碳化物前驱物可以包括具有取代或未取代的环戊二烯基基团的化合物。
- 一种N掺杂SiC纳米针及其应用-201510511409.4
- 陈善亮;高凤梅;王霖;郑金桔;杨为佑 - 宁波工程学院
- 2015-08-19 - 2017-04-19 - C23C16/32
- 本发明涉及一种N掺杂SiC纳米针及其应用。该N掺杂SiC纳米针种N原子掺杂量为2‑10at％，纳米针长为1‑100μm，针尖端的直径为50‑500nm。该N掺杂SiC纳米针作为柔性场发射阴极材料。本发明的N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料在不同温度下均具有较低的开启电场，在高温下也具有稳定的电子发射特性。
- 一种含碳化硅纳米粒子薄膜材料的制备方法-201610924072.4
- 姜礼华;谭新玉;向鹏;肖婷 - 三峡大学
- 2016-10-24 - 2017-03-15 - C23C16/32
- 本发明公开了一种含碳化硅纳米粒子薄膜材料的低温制备方法，该方法包括以下步骤（1）玻璃片或硅片的清洗；（2）以硅烷和甲烷为反应气体，通过调整沉积功率、压强、温度及流量比等工艺参数采用等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃片或硅片上沉积碳化硅纳米粒子薄膜。本发明方法主要通过优化等离子体增强化学气相沉积技术制备工艺参数，调控碳基和硅基等离子体基元能量和活性，控制它们在玻璃片或硅片表面的生长反应从而在玻璃片和硅片上合成致密分布的碳化硅纳米粒子。经过上述步骤所制备的碳化硅纳米粒子薄膜具有工艺简单、成本低以及碳化硅纳米粒子排列致密性高等优点。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
