[发明专利]智能功率模块的制备方法、智能功率模块和电力电子设备在审
申请号: | 201611065450.4 | 申请日: | 2016-11-28 |
公开(公告)号: | CN106684002A | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 黄德星;冯宇翔 | 申请(专利权)人: | 广东美的制冷设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L25/065 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343 | 代理人: | 尚志峰;汪海屏 |
地址: | 528311 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种智能功率模块的制备方法、智能功率模块和电力电子设备,其中,智能功率模块的制备方法包括:在基板的正侧形成隔离槽,以将基板划分为隔离的第一区域和第二区域;在第一区域上形成高智能功率模块,高智能功率模块包括MOSFET、IGBT和快速恢复二极管;在第二区域上形成低智能功率模块,低智能功率模块包括高速集成控制电路;在高智能功率模块和低智能功率模块之间形成邦定线。通过本发明技术方案,降低了高智能功率模块对低智能功率模块的热干扰,在不提高生产成本的前提下,进一步地提升了智能功率模块的可靠性和热稳定性。 | ||
搜索关键词: | 智能 功率 模块 制备 方法 电力 电子设备 | ||
【主权项】:
一种功率模块的制备方法,其特征在于,包括:在基板的正侧形成隔离槽,以将所述基板划分为隔离的第一区域和第二区域;在所述第一区域上形成高功率器件,所述高功率器件包括MOSFET、IGBT和快速恢复二极管;在所述第二区域上形成低功率器件,所述低功率器件包括高速集成控制电路;在所述高功率器件和所述低功率器件之间形成邦定线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造