[发明专利]用以容纳晶片载体的腔室在审
申请号: | 201611113293.X | 申请日: | 2016-12-06 |
公开(公告)号: | CN107026104A | 公开(公告)日: | 2017-08-08 |
发明(设计)人: | 卢佳暐;王泓智;黄宏麟 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 腔室包含侧壁、冷却管和外管。冷却管包含沿着腔室的侧壁延伸的第一区段并且包含多个净化喷嘴。外管延伸到腔室内部并且连接到冷却管的第一区段。半导体处理站包含中心传递腔室、负载锁定腔室和冷却台。负载锁定腔室和冷却台邻近于中心传递腔室安置。负载锁定腔室用以容纳具有多个晶片的晶片载体。中心传递腔室连通在冷却台与负载锁定腔室之间,以在冷却台与负载锁定腔室之间传递晶片。 | ||
搜索关键词: | 用以 容纳 晶片 载体 | ||
【主权项】:
一种用以容纳晶片载体的腔室,其特征在于,所述腔室包括:侧壁;冷却管,其安置于所述腔室中,所述冷却管包括:第一区段,其在所述腔室的高度方向上沿着所述侧壁延伸并且包括多个净化喷嘴;以及外管,其从所述腔室外部延伸到所述腔室内部并且连接到所述冷却管的所述第一区段以便提供流体给所述冷却管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造