[发明专利]一种低温共烧器件及低介共烧陶瓷膜片的制作方法有效
申请号: | 201611204656.0 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN106631045B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 郑卫卫;吴震;陈柳城 | 申请(专利权)人: | 深圳顺络电子股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/622 | 分类号: | C04B35/622;C03C10/00;H01F41/00 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 王震宇 |
地址: | 518110 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种低温共烧器件及低介共烧陶瓷膜片的制作方法,低介共烧陶瓷膜片的制作方法包括以下步骤:1)准备相对介电常数不高于5.8的低介陶瓷材料;2)在所述低介陶瓷材料中混入具有预定范围的高膨胀系数的低介介质;3)将混合粉进行预烧处理,得到低介共烧陶瓷材料,所述低介陶瓷材料的热膨胀系数与铁氧体材料、导电电极材料的差异处于预定范围内;4)将预烧后的混合粉进行制浆涂布,形成低介共烧陶瓷膜片。该方法能够提升不同材料间的共烧匹配性,大幅减少或防止共烧磁体缺陷,提升器件的可靠性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 低温 器件 低介共烧 陶瓷 膜片 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种低介共烧陶瓷膜片的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:1)准备低介陶瓷材料,所述低介陶瓷材料为硼硅系的材料,其相对介电常数在4.5~5.5,热膨胀系数在30~40*10‑7K‑1,且杂质离子浓度低于2%;2)在所述低介陶瓷材料中混入具有预定范围的高膨胀系数的低介介质,所述低介介质为α‑石英和/或β‑石英,其相对介电常数在4.0~4.3之间,材料热膨胀系数在90*10‑7K‑1,材料纯度≥90%,所述低介介质在陶瓷材料中的加入量为10%~30%;3)将混合粉进行预烧处理,得到低介共烧陶瓷材料,所述低介陶瓷材料的热膨胀系数与铁氧体材料、导电电极材料的差异处于预定范围内;步骤3)包含以下子步骤:a1将混合的粉加入球磨罐中进行预混;a2将完成预混的粉进行预烧处理;a3将完成预烧处理的粉再次放入球磨罐中进行磨细处理;所述预烧处理包括将混合后的粉烘干去水后,置于高温匣钵中,并在烧结炉中以500℃~700℃的温度热处理0.5~1h;4)将预烧后的混合粉进行制浆涂布,形成低介共烧陶瓷膜片;步骤4)包含以下子步骤:b1.将所述混合粉与酯类溶液搅拌混合,并加入有机粘合剂和分散剂搅拌,形成陶瓷浆料;b2.涂布所述陶瓷浆料以形成所述陶瓷膜片。
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