[实用新型]一种具有双门极的双波状基区GCT器件有效
| 申请号： | 201620749835.1 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN205881908U | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H01L29/744 | 分类号： | H01L29/744;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有双门极的双波状基区GCT器件，包括N‑基区、N基区、P基区、N+阴极发射区、P+阳极发射区，N‑基区位于P基区与N基区之间，N‑基区与P基区的交界处为JB结，N‑基区与N基区的交界处为JA结，JB结、JA结都呈波状，P+阳极发射区与N基区相连，N+阴极发射区与P基区相连，N+阴极发射区与P基区的交界处为JC结，N+阴极发射区引出K极，P基区的两侧都引出G1极，N基区两侧都引出G2极，P+阳极发射区引出A极。本实用新型提高了器件芯片利用率和响应频率，通态电流密度更大，开关速度更快，更均匀，通态功耗和开关功耗小，工作频率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 双门极 波状 gct 器件 | ||
【主权项】：
一种具有双门极的双波状基区GCT器件，其特征在于，包括N‑基区(3)、N基区(2)、P基区(4)、N+阴极发射区(5)、P+阳极发射区(1)，所述N‑基区(3)位于P基区(4)与N基区(2)之间，所述N‑基区(3)与P基区(4)的交界处为JB结(32)，所述N‑基区(3)与N基区(2)的交界处为JA结(31)，所述JB结(32)、JA(31)结都呈波状，所述P+阳极发射区(1)与N基区(2)相连，所述N+阴极发射区(5)与P基区(4)相连，所述N+阴极发射区(5)与P基区(4)的交界处为JC结(33)，所述N+阴极发射区(5)引出K极，所述P基区(4)的两侧都引出G1极，所述N基区(2)的两侧都引出G2极，所述P+阳极发射区(1)引出A极。
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