[发明专利]隔离半导体单壁纳米管或金属单壁纳米管及其方法有效
| 申请号： | 201680018223.8 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN107636216B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | Z·鲍;I·波乔罗夫斯基 | 申请（专利权）人： | 小利兰·斯坦福大学托管委员会 |
| 主分类号： | D01F9/12 | 分类号： | D01F9/12;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01B1/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 高宏伟;江磊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施方式包括方法、聚合物和复合物。例如，方法实施方式包括提供包含拆解的超分子聚合物和破键剂的溶液；向该溶液添加抗溶剂以使超分子聚合物沉淀；以及使沉淀的超分子聚合物与破键剂隔离。隔离的超分子聚合物配置成从包含至少两种电类型的单壁碳纳米管(SWNT)的SWNT混合物中选择性地分散特定电类型的SWNT。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 半导体 纳米 金属 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，所述方法包括：提供包含拆解的超分子聚合物和破键剂的溶液；向所述溶液添加抗溶剂以使所述超分子聚合物沉淀；以及使所述沉淀的超分子聚合物与所述破键剂隔离，其中，所述隔离的超分子聚合物配置成从包含至少两种电类型的单壁碳纳米管(SWNT)的SWNT混合物中选择性地分散特定电类型的SWNT。
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