[发明专利]导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极有效

专利信息
申请号: 201680069731.9 申请日: 2016-12-07
公开(公告)号: CN108292179B 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 李一翻;闵进赫;金起焕;朴赞亨 申请(专利权)人: 株式会社LG化学
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;B32B15/08;G02F1/1343
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 李琳;陈英俊
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极。更具体地,根据本发明的实施例的导电结构包括:设置在基板上的金属层;以及设置在所述金属层的至少一侧的光反射减少层,其中,所述光反射减少层包括:包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物;锌;以及铜。
搜索关键词: 导电 结构 制造 方法 包括 电极
【主权项】:
1.一种导电结构,包括:基板;金属层,设置在所述基板上;以及光反射减少层,设置在所述金属层的至少一个表面上,其中,所述光反射减少层包括:包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种或两种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物;锌;以及铜。
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