[发明专利]导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极有效
申请号: | 201680069731.9 | 申请日: | 2016-12-07 |
公开(公告)号: | CN108292179B | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 李一翻;闵进赫;金起焕;朴赞亨 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;B32B15/08;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极。更具体地,根据本发明的实施例的导电结构包括:设置在基板上的金属层;以及设置在所述金属层的至少一侧的光反射减少层,其中,所述光反射减少层包括:包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物;锌;以及铜。 | ||
搜索关键词: | 导电 结构 制造 方法 包括 电极 | ||
【主权项】:
1.一种导电结构,包括:基板;金属层,设置在所述基板上;以及光反射减少层,设置在所述金属层的至少一个表面上,其中,所述光反射减少层包括:包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种或两种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物;锌;以及铜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社LG化学,未经株式会社LG化学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680069731.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。