[发明专利]半导体元件及其形成方法有效
| 申请号： | 201710152825.9 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN107230736B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 陈孟扬;李荣仁;李世昌 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明公开一种半导体元件及其形成方法。其中所述的形成半导体元件的方法包含提供一半导体基板，外延成长一反应层于该半导体基板上，以及外延成长一缓冲层于该反应层上，其中该缓冲层与该半导体基板的晶格不匹配，且该缓冲层具有一差排密度小于1×10 |
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| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体元件的方法，包含：提供一半导体基板；外延成长一反应层于该半导体基板上；以及外延成长一缓冲层于该反应层上；其中该缓冲层与该半导体基板的晶格不匹配，且该缓冲层具有一差排密度小于1×109cm‑2。
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