[发明专利]一种负压自偏置PIN开关驱动器及其负电压产生方法有效

专利信息
申请号: 201710280207.2 申请日: 2017-04-26
公开(公告)号: CN106992772B 公开(公告)日: 2023-06-27
发明(设计)人: 程伟;任凤;陈瑶;成玲;蔡宁霞 申请(专利权)人: 安徽四创电子股份有限公司
主分类号: H03K17/74 分类号: H03K17/74;H03K17/04
代理公司: 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 代理人: 王挺
地址: 230088 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于微波技术领域,特别涉及一种负压自偏置PIN开关驱动器及其负电压产生方法。本发明包括驱动电路以及负压自偏置电路,所述驱动电路的控制端连接TTL控制信号,驱动电路分别与电源Vcc、地GND连接,驱动电路的信号输出端连接负压自偏置电路的信号输入端,所述负压自偏置电路的信号输出端产生负电压。所述驱动电路和负压自偏置电路包含的元器件数量少,从而使得整个PIN开关驱动器的结构简单,体积小,可靠性高。本发明的驱动电路和负压自偏置电路均采用分立元件搭建,成本低廉。
搜索关键词: 一种 偏置 pin 开关 驱动器 及其 电压 产生 方法
【主权项】:
一种负压自偏置PIN开关驱动器,其特征在于:包括驱动电路(10)以及负压自偏置电路(20),所述驱动电路(10)的控制端连接TTL控制信号,驱动电路(10)分别与电源Vcc、地GND连接,驱动电路(10)的信号输出端连接负压自偏置电路(20)的信号输入端,所述负压自偏置电路(20)的信号输出端连接输出电压Vout。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽四创电子股份有限公司,未经安徽四创电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710280207.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 基于半控型器件的直流固态断路器电路拓扑及控制方法-202311127748.3
  • 朱晋;贺嵩铭;曾庆鹏;张桐硕;吴理心;韦统振 - 中国科学院电工研究所
  • 2023-09-04 - 2023-10-10 - H03K17/74
  • 本发明属于电子电路领域,具体涉及了一种基于半控型器件的直流固态断路器电路拓扑及控制方法,旨在解决基于晶闸管的直流固态断路器在实现双向关断及多端口时成本体积比较高的问题。本发明包括:直流系统的第一端、避雷器的第二端、第一辅助开关的第二端和第二辅助开关的第二端连接至第一节点G1;第二辅助开关的第一端、避雷器的第一端和电容C1的第二端连接至第二节点G2;电容C1的第一端、第一辅助开关的第一端和辅助支路的第二端连接至第三节点G3;辅助支路的第一端通过第四节点G4接地;本发明解决了基于晶闸管的直流固态断路器在实现双向关断及多端口应用问题,降低了成本体积,实现了软重合闸的功能。
  • 一种具有选频滤波功能的PIN开关-202310618954.8
  • 陈春雷;黄建林 - 昆山普尚电子科技有限公司
  • 2023-05-29 - 2023-09-08 - H03K17/74
  • 本发明涉及一种具有选频滤波功能的PIN开关,其包括用于输入射频信号的输入端、第一射频通道、第二射频通道和控制支路;所述第一射频通道包括第一电容和第一PIN管,第一电容的第一端连接所述输入端,其第二端通过第二电容耦接至第一射频输出端,所述第一PIN管的阳极连接至第一电容的第二端和第二电容之间;所述第二射频通道包括第一电感、第三电容和第二PIN管,第一电感的第一端连接所述输入端,其第二端连接所述第二射频输出端;第三电容耦合于第一电感的第二端和第二PIN管的阳极之间;所述控制支路控制其连接的PIN管的通断;本发明利用电容电感的响应特性,解决了直接使用滤波器产品导致的电路尺寸过大、使用成本高和插入损耗较大的问题。
  • 一种功率半导体器件的驱动和控制电路及方法-202310563272.1
  • 曾嵘;陈政宇;尚杰;王鹏;吴锦鹏;余占清;刘佳鹏;赵彪;屈鲁;庄池杰 - 清华大学
  • 2023-05-18 - 2023-09-05 - H03K17/74
  • 本公开实施例公开一种功率半导体器件的驱动和控制电路及方法,所述方法包括:连接于功率半导体器件门极和阴极之间的开通电路、第一关断电路和第二关断电路,还包括电流检测电路和控制电路;所述开通电路用于向功率半导体器件门极注入开通触发电流;第一关断电路和第二关断电路用于向功率半导体器件的门极和阴极施加反偏电压,使功率半导体器件关断;电流检测电路用于检测功率半导体器件关断时刻的阳极电流或阴极电流并上报至控制电路;控制电路用于根据电流检测电路的的检测结果,使能第一关断电路和/或第二关断电路。本公开的示例性实施例,解决大电流关断下换流速度不足的问题,大幅提升门极换流晶闸管的电流关断能力。
  • 一种PIN二极管驱动控制电路-202320675738.2
  • 查加林;孙小美;雷振德;翁阿强 - 陕西烽火电子股份有限公司
  • 2023-03-30 - 2023-08-11 - H03K17/74
  • 本实用新型公开了一种PIN二极管驱动控制电路,包括连接的控制状态转换单元和高低电压切换单元,所述控制状态转换单元包括连接的运算放大器、开关二极管、电阻器和电容器,所述高低电压切换单元包括连接的场效应管、稳压二极管、电阻器和电容器,所述控制状态转换单元能够将输入的控制电平转换输出为正负控制电平,正负控制电平驱动所述高低电压切换单元进行PIN二极管的高压电平和低压电平切换,实现PIN二极管的导通与关断控制。解决了PIN二极管作为大功率或高线性度射频开关时对驱动电路需要的设计要求,具有开关速度快、正向偏压带载能力强、反向偏压承受电压高、保护电路的特点。
  • 一种负压自偏置PIN开关驱动器及其负电压产生方法-201710280207.2
  • 程伟;任凤;陈瑶;成玲;蔡宁霞 - 安徽四创电子股份有限公司
  • 2017-04-26 - 2023-06-27 - H03K17/74
  • 本发明属于微波技术领域,特别涉及一种负压自偏置PIN开关驱动器及其负电压产生方法。本发明包括驱动电路以及负压自偏置电路,所述驱动电路的控制端连接TTL控制信号,驱动电路分别与电源Vcc、地GND连接,驱动电路的信号输出端连接负压自偏置电路的信号输入端,所述负压自偏置电路的信号输出端产生负电压。所述驱动电路和负压自偏置电路包含的元器件数量少,从而使得整个PIN开关驱动器的结构简单,体积小,可靠性高。本发明的驱动电路和负压自偏置电路均采用分立元件搭建,成本低廉。
  • 用于门操作器的开关操纵装置-201880017426.4
  • 斯蒂芬·保尔松 - 亚萨合莱自动门系统有限公司
  • 2018-03-22 - 2023-06-16 - H03K17/74
  • 本发明涉及用于门操作器的操纵开关装置(100),包括:输入端子(102),配置成连接到交流电压源(106),以及连接到电子电路(101);输出端子(103),连接到所述电子电路;第一开关(104),连接到所述电子电路;第二开关(105),连接到所述电子电路;所述电子电路配置成在激活所述第一开关时以第一占空比向所述输出端子提供第一信号,其中,所述第一信号基于所述输入端子处的交流电压;该电子电路还配置成在激活所述第二开关时以第二占空比向所述输出端子提供第二信号,其中,所述第二信号基于所述输入端子处的交流电压,其中,所述第一占空比与所述第二占空比不相同。
  • 一种基于厚薄膜电路基板的大功率开关设计方法-202211518850.1
  • 商桂川;丛楠;孙浩然 - 四川斯艾普电子科技有限公司
  • 2022-11-30 - 2023-05-30 - H03K17/74
  • 一种基于厚薄膜电路基板的大功率开关设计方法,包括:提供一层表层电路层,其上设置驱动器、第一射频传输线、第二射频传输线、第三射频传输线、第四射频传输线、第一PIN二极管、第二PIN二极管、第三PIN二极管、第一电容、第二电容、第三电容及第四电容;提供一层牺牲层,设于表层电路层的下侧;提供多层金属层,第一金属层位于牺牲层下侧,第二金属层上设置第一电感、第二电感、第三电感、第四电感;第四金属层上设置第一电阻、第二电阻;第五金属层上设置驱动器控制电路;金属层的相邻两层之间夹设一个陶瓷基板。将大功率开关的元器件分开布置在薄膜工艺的表层和厚膜工艺的内部不同金属层,实现高度集成,减小整体尺寸。
  • 一种GCT关断电路及其控制方法-202010607154.2
  • 曾宏;张顺彪;陈修林;李灿;曾理 - 中车株洲电力机车研究所有限公司
  • 2020-06-29 - 2023-05-26 - H03K17/74
  • 本发明提供了一种GCT关断电路及其控制方法,用于实现GCT器件的关断。所述GCT关断电路包括:功率电路,跨接于所述门极和所述阴极之间,用于在所述GCT器件的动态关断状态下向所述门极和所述阴极提供第一反偏电压,所述第一反偏电压大于所述门极和所述阴极的安全反偏电压阈值;以及控制电路,分别跨接于所述门极和所述阴极之间,用于在所述GCT器件的静态关断状态下向所述门极和所述阴极提供第二反偏电压,所述第二反偏电压小于所述安全反偏电压阈值。
  • 一种高隔离度高速微波电子开关电路-202223020983.4
  • 欧阳家祥;杭超 - 浙江博太粒子加速器有限公司
  • 2022-11-10 - 2023-05-02 - H03K17/74
  • 本实用新型涉及一种微波电子开关电路,具体涉及一种高隔离度高速微波电子开关电路,包括前级调制信号单元、功率放大单元和后级放大调制信号单元,所述前级调制信号单元的输出端与功率放大单元的输入端连接,所述功率放大单元的输出端连接有后级放大调制信号单元,所述前级调制信号单元连接有双极性调制信号,所述后级放大调制信号单元连接有单极性调制信号,所述双极性调制信号与单极性调制信号同步,本实用新型可以同时达到高隔离度和高速的要求。
  • 一种导通电压可调的NMOS理想二极管电路-202222650102.0
  • 肖安全 - 岱昆半导体(上海)有限公司
  • 2022-10-08 - 2023-04-07 - H03K17/74
  • 一种导通电压可调的NMOS理想二极管电路,理想二极管包括放大器、NMOS管、参考电压源;理想二极管的正端为P,负端为N;NMOS管的源极连接理想二极管的正端P,漏极连接理想二极管的负端N;放大器的正相输入端INP连接理想二极管的正端P,反相输入端INN连接参考电压源的正极,输出端OUT连接NMOS管的栅极,电源连接VCC,地连接GND;参考电压源的负极连接理想二极管的负端N。优点是:引入适当的参考电压,通过负反馈回路把理想二极管的正向导通压降钳位到引入的参考电压,有效的控制理想二极管的正向导通压降,通过调整引入的参考电压值使其大于反馈回路的放大器失调电压就可确保理想二极管反向截止关断,从而有效克服了既有技术的反偏漏电缺陷。
  • 一种基于PIN二极管的低损耗电子式天线开关-202211348173.3
  • 崔建国;宁永香;崔燚 - 山西工程技术学院
  • 2022-10-31 - 2023-01-03 - H03K17/74
  • 一种基于PIN二极管的低损耗电子式天线开关,包括若干个PIN二极管、若干个输入连接器、输出连接器和电源单元,各个PIN二极管和各个输入连接器分别一一对应,各个PIN二极管的正极分别通过第一隔直电容与对应的各个输入连接器连接,各个PIN二极管的负极并联并通过第二隔直电容与输出连接器连接,电源单元的正极通过单刀多掷开关连接有若干个正向偏置电流电路,各个正向偏置电流电路的另一端分别与各个PIN二极管的正极一一对应连接。本发明能完成不同高频信号的切换,损耗低,工作可靠,降低噪声,避免各路高频信号相互串话或干扰。
  • 一种无源型自适应理想二极管电路-202211321008.9
  • 顾建平;吕卉卉 - 东莞毓华电子科技有限公司
  • 2022-10-26 - 2022-12-23 - H03K17/74
  • 本申请提供一种无源型自适应理想二极管电路,涉及理想二极管领域,一种无源型自适应理想二极管电路,第一供电电源、第二供电电源、第一自适应主控电路与第二自适应主控电路,本发明的第一供电电源用于给第一自适应主控电路供电,第二供电电源用于给第二自适应主控电路供电,当第一供电电源或第二供电电源单个供电时,第一驱动电路、第二驱动电路可进行单向导通,且可进行无中断切换,自适应的推动驱动电路线性开通或瞬态关断,从而实现无源型自适应理想二极管的功能,本发明可采用少量的基础元器件实现理想二极管的功能,不需要复杂及专用的控制芯片,不需要额外的辅助供电电源。
  • 确定单光子雪崩二极管的过偏置电压的电平的电路装置-201980075469.2
  • 内纳德·利利奇 - AMS国际有限公司
  • 2019-11-14 - 2022-12-13 - H03K17/74
  • 一种用于确定单光子雪崩二极管的过偏置电压的电平的电路装置(1a、1b),其包括评估电路(300),该评估电路被配置为根据单光子雪崩二极管的输出信号(Van)的信号进程来确定单光子雪崩二极管(100)的过偏置电压(Vex)的电平。在电路装置(1a、1b)的第一操作周期中,当光子撞击单光子雪崩二极管(100)的感光区域时,在输出端子(40)上产生跳变到过偏置电压(Vex)电平的电压。在随后的第二操作周期中,单光子雪崩二极管的输出端子(40)耦合到电源端子(10)。
  • 一种高反偏电压大功率PIN射频开关单元电路-202221946390.8
  • 胡运德;孙兴东 - 北京优航机电技术有限公司
  • 2022-07-27 - 2022-11-25 - H03K17/74
  • 本实用新型公开了一种高反偏电压大功率PIN射频开关单元电路,包括由耐高压管主导的推挽式双稳态低功耗开关切换驱动电路,均衡加速切换的反相器,射频信号串联PIN管和并联PIN管,射频耦合隔直电容,射频去耦电感,阻尼用TVS管/电阻等组成。推挽式双稳态驱动电路可以在低功耗下,利用内部正反馈结构高速建立逻辑互反的PIN驱动信号,加载到电感上,透过电感驱动大功率PIN二极管正偏导通/反偏截止,完成射频信号的导通/关断控制。单元内设阻尼电路,用于减少高Q值电路切换造成的振荡,减少瞬态逻辑混乱。本实用新型具有射频功率容量大、逻辑稳定性高、电路精简、可靠性高、切换速度快、器件易得、成本低廉的优点,可实现100%国产化。
  • 一种射频大功率PIN SPDT开关的驱动电路-202221802180.1
  • 唐晓翠;邵隆标;周山 - 江西嘉百乐商业管理集团有限公司
  • 2022-07-12 - 2022-11-08 - H03K17/74
  • 本实用新型公开了一种射频大功率PIN SPDT开关的驱动电路,包括:DC‑DC半桥驱动芯片DRV以及两个结构相同的信号输出电路;DC‑DC半桥驱动芯片DRV的高边驱动输出引脚HO和低边驱动输出引脚LO分别与每一信号输出电路连接;每一信号输出电路的PMOS/NMOS管对的漏极作为输出端连接至射频大功率PINSPDT开关的输入端。本实用新型利用DC‑DC半桥驱动芯片DRV固有的时序控制功能,对控制射频大功率PIN SPDT开关输入的信号输出电路进行时序控制,防止上、下管同时导通导致元件烧毁,且采用一个DC‑DC半桥驱动芯片DRV即可控制两个信号输出电路,提高了电路整体的可靠性,降低了电路成本。
  • 一种平衡开关损耗和开关应力的控制电路、方法及芯片-202210912237.1
  • 崔玉洁;王志东;汤子龙;张晓明;胡思诚;洪在发 - 科华数据股份有限公司;漳州科华技术有限责任公司
  • 2022-07-29 - 2022-10-14 - H03K17/74
  • 本申请实施例公开了一种平衡开关损耗和开关应力的控制电路、方法及芯片,控制电路包括:PWM控制器、开通模块和关断模块;开通模块的一端与PWM控制器相连,另一端与开关管的控制极相连,以当控制开关管开通时,改变开关管的驱动电阻,使得在控制电路的能力范围内,正常开通的开关管的电压变化率与开关管正常工作时的最大电压变化率的差值最小;关断模块的一端与PWM控制器相连,另一端与控制极相连,以当控制开关管关断时,改变开关管的驱动电阻,使得在控制电路的能力范围内,正常关断的开关管的电压变化率与最大电压变化率的差值最小;PWM控制器,用于识别开关管的状态,以发出控制信号对开通模块和关断模块进行控制。
  • 单刀双掷开关-202222280973.8
  • 胡译文 - 合肥芯谷微电子有限公司
  • 2022-08-30 - 2022-10-14 - H03K17/74
  • 本实用新型公开了一种单刀双掷开关,单刀双掷开关的输入偏置电路的输出端分别与第一隔直电容的第一端和第二隔直电容的第一端电连接,第一隔直电容的第二端与至少一个第一二极管的正极端电连接,第一二极管的负极端接地,第一隔直电容的第二端还与第一电源偏置电路的输出端电连接,第一电源偏置电路的输出端与单刀双掷开关的第一输出端电连接;第二隔直电容的第二端与至少一个第二二极管的正极端电连接,第二二极管的负极端接地,第二隔直电容的第二端还与第二电源偏置电路的输出端电连接,第二电源偏置电路的输出端与单刀双掷开关的第二输出端电连接。单刀双掷开关可以增加功率容量,改善开关电路的微波性能,满足系统高功率容量的要求。
  • 一种大功率正交电桥开关电路-202221692794.9
  • 尚海方;邵隆标;周山 - 江西嘉百乐商业管理集团有限公司
  • 2022-07-01 - 2022-10-04 - H03K17/74
  • 本实用新型公开了一种大功率正交电桥开关电路,包括多路并联的PIN管功率分解电路,每一路PIN管功率分解电路包括第一隔直电容C2,第一隔直电容C2与第一射频传输线特征阻抗TL2串联后,分别与第二射频传输线特征阻抗TL1的一端、第一PIN二极管D2的正极以及吸收负载R2的一端连接,第二射频传输线特征阻抗TL1的另一端与第二PIN二极管D1串联后接地,第一PIN二极管D2和吸收负载R2并联后与第二隔直电容C3的一端连接,第二隔直电容C3的另一端与正交电桥的任一输出端口连接。本实新型的PIN管开关电路无需使用大功率的PIN管,每一路的小功率PIN管只需要承担1/N的功率,从而降低了电路成本,可根据正交电桥的应用场景来拓展PIN管功率分解电路的并联路数,提高电路的适用性。
  • 控制器件以及电子器件-202122061530.5
  • F·戈蒂埃 - 意法半导体(图尔)公司
  • 2021-08-30 - 2022-05-31 - H03K17/74
  • 本公开的实施例涉及控制器件以及电子器件。一种电路器件,包括:电子器件,包括:可控电流源,耦合在第一节点与第一端子之间,第一端子被耦合到可控二极管的阴极;电容器,耦合在第一节点与第二端子之间,第二端子被耦合到可控二极管的阳极;第一开关,耦合在第一节点与第三端子之间,第三端子被耦合到可控二极管的栅极;第二开关,耦合在第二端子与第三端子之间;以及第一二极管,耦合在第三端子与第二端子之间,第一二极管的阳极被耦合到第三端子。利用本公开的实施例能够有利地减少晶体管中的饱和,以便加速向晶体管的关断状态的转变。
  • 一种自适应射频开关-202123330335.4
  • 武晨;陆军;代云龙 - 西安天箭防务科技有限公司
  • 2021-12-28 - 2022-05-31 - H03K17/74
  • 本实用新型公开了一种自适应射频开关,包括陶瓷电路板,所述陶瓷电路板上侧设置有连接电路,所述陶瓷电路板上侧固定连接有PIN二极管一和PIN二极管二,所述陶瓷电路板左右两端前后两部上侧分别设置有输入端一、输入端二、输出端一和输出端二,所述陶瓷电路板上侧还设置有防尘隔离罩和放电金属杆,所述防尘隔离罩通过固定螺栓连接有隔离罩顶盖。本实用新型中,该射频开关通过设置双输入端和双输出端,当接线一端出现损坏时能够及时更换端口,此时可以通过固定螺栓拆开防尘隔离罩上侧的隔离罩顶盖,对损坏电路进行相应维修,同时该射频开关通过设置放电金属杆进防止现静电现象影响开关射频。
  • 一种射频开关电路及系统-202122562916.4
  • 谢绰 - 武汉联影生命科学仪器有限公司
  • 2021-10-22 - 2022-04-12 - H03K17/74
  • 本实用新型涉及一种射频开关电路及系统,所述开关单元,所述开关单元包括由同轴线与电容并联形成的谐振单元以及一端与所述谐振单元连接的二极管,所述二极管用于根据其被施加正向电压或反向电压控制所述谐振单元的断或通。本实用新型提供的射频开关电路,在实现射频接收和发射转换的同时,可以降低电能损耗。
  • 低功率PIN二极管驱动器-202111596580.1
  • G·J·J·范齐尔 - 先进工程解决方案全球控股私人有限公司
  • 2019-01-11 - 2022-03-25 - H03K17/74
  • 本公开涉及用于射频(RF)切换电路的装置和方法,并且更特别地涉及用于高速、高重复率和/或高功率应用的PIN二极管驱动器电路。PIN二极管驱动器可以包括提供给PIN二极管的双电压反向偏置,该双电压反向偏置可以由第一相对较低电压的电源和第二相对较高电压的电源提供。与PIN二极管在第二相对较高的偏置电压下的反向偏置期间相比,相对较低的电压在更低的电压下使PIN二极管的本征层放电,以便减少总功耗。
  • 一种被动式大功率TR开关及TR组件-202111301226.1
  • 刘建波;梁云忠 - 南京正銮电子科技有限公司
  • 2021-11-04 - 2022-03-11 - H03K17/74
  • 本发明公开了一种被动式大功率TR开关及TR组件,其中TR开关包括发射信号端口,所述发射信号端口与第一高频板连接,所述第一高频板通过至少一对反向并联的二极管与第二高频板连接,所述第二高频板通过第一电感与第三高频板连接,所述第三高频板与公共端口连接;所述第二高频板通过电容与第四高频板连接,所述第四高频板通过至少一对反向并联的二极管与第五高频板连接;所述第三高频板通过电容与第六高频板连接,第六高频板通过至少一对反向并联的二极管与第七高频板连接;利用了开关二极管的关断、导通和整流特性,实现大信号下的导通和小信号下截止,采用滤波器特性将发射和接收信号隔离,从而实现了被动式的大功率TR开关特性。
  • 氧化物场沟槽(OFT)二极管控制器件-202111003833.X
  • F·戈蒂埃 - 意法半导体(图尔)公司
  • 2021-08-30 - 2022-03-01 - H03K17/74
  • 本公开的实施例涉及氧化物场沟槽(OFT)二极管控制器件。一种器件,包括连接在第一节点与第一端子之间的可控电流源,第一端子耦合到可控二极管的阴极。电容器连接在第一节点与第二端子之间,第二端子耦合到可控二极管的阳极。第一开关连接在第一节点与第三端子之间,第三端子耦合到可控二极管的栅极。第二开关连接在第二端子与第三端子之间。第一二极管连接在第三端子与第二端子之间,第一二极管的阳极优选耦合到第三端子。
  • 射频开关电路、通信单元及其方法-202110754313.6
  • 阳昕;马克·皮特·范德海登;约瑟夫·雷内鲁斯·玛丽亚·伯格威特;贾斯珀·皮尔 - 恩智浦有限公司
  • 2021-07-02 - 2022-01-11 - H03K17/74
  • 一种射频RF开关电路,包括:至少一个第一PiN二极管装置,被配置成吸收或供应第一交流电;以及阻抗变换电路,连接到所述至少一个第一PiN二极管装置且被布置成在所述阻抗变换电路的第一侧与所述阻抗变换电路的第二侧之间提供已变换阻抗。所述RF开关另外包括:第二基于二极管的装置,被配置成供应或吸收第二交流电;以及偏置电路,连接到所述至少一个第一PiN二极管装置和所述第二基于二极管的装置中的至少一个,其中所述至少一个第一PiN二极管装置与所述第二基于二极管的装置协作而作为推挽式电流电路。
  • 一种宽带单刀十六掷等相PIN开关-202121281917.5
  • 夏军 - 成都新宏安微波科技有限公司
  • 2021-06-08 - 2021-11-23 - H03K17/74
  • 本实用新型涉及开关领域,目的在于提供一种能对针脚进行保护,避免针脚受到损坏,具有结构简单、实用性强等优点的宽带单刀十六掷等相PIN开关。采用的技术方案为:一种宽带单刀十六掷等相PIN开关,包括开关盒体和若干设置在开关盒体侧壁上的针脚,所述盒体的侧壁上连接有保护罩,所述保护罩上设有若干与针脚相对应的保护孔,所述针脚穿设在对应的保护孔内。
  • 一种PIN开关的电路-202120720481.9
  • 邓彪 - 四川斯艾普电子科技有限公司
  • 2021-04-09 - 2021-11-23 - H03K17/74
  • 一种PIN开关的电路,包括:开关低频供电单元,用于提供导通电压和/或截止电压给第一开关支路单元和/或第二开关支路单元;第一开关支路单元,一端为输入端口Tin1,另一端连接开关公共单元,包括PIN二极管D1和PIN二极管D2;第二开关支路单元,一端为输入端口Tin2,另一端连接开关公共单元,包括PIN二极管D3和PIN二极管D4;开关公共单元,用于提供低频回路,一端分别连接PIN二极管的D2负极和PIN二极管D3负极,另一端为输出端口Tout。本申请的PIN开关的电路可有效提高PIN开关的耐功率大小,缩减开关的整体尺寸大小,开关插入损耗低,支路间隔离度高。
  • 一种基于多重融合结构的双频滤波开关-202022484931.7
  • 薛泉;方欣;李园春 - 华南理工大学
  • 2020-10-31 - 2021-09-03 - H03K17/74
  • 本实用新型公开一种基于多重融合结构的双频滤波开关。所述双频滤波开关包括腔体谐振器、金属板、PCB馈电结构;PCB馈电结构包括输入PCB馈电结构和输出PCB馈电结构,输入PCB馈电结构和输出PCB馈电结构均各自包括同轴探针、微带线和控制电路,通过调节控制电路,实现整个开关电路的开(ON)和关(OFF)状态的切换,且ON的状态下利用腔体谐振器的两个基膜,实现双通带的要求。本实用新型利用PCB作为馈电网络,解决传统波导馈电体积大和探针馈电不稳固的问题;滤波开关在ON的状态下利用腔体谐振的两个基膜,实现0.4dB损耗和高品质因素的双通带的要求;在OFF的状态下两个通带内均具有低于30dB的隔离。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top