[发明专利]一种晶体硅硅片蒸镀减反射膜的方法在审
| 申请号： | 201710329065.4 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN107164745A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 李明;吴得轶;成秋云 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/46;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008 | 代理人： | 周长清,廖元宝 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅硅片蒸镀减反射膜的方法，对装载有晶体硅硅片的载体进行预热处理后，再送入至工艺腔室进行蒸镀减反射膜。本发明的晶体硅硅片蒸镀减反射膜的方法具有控制简单、提高生产效率以及保持温度稳定等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 硅片 减反射膜 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅硅片蒸镀减反射膜的方法，其特征在于，对装载有晶体硅硅片的载体进行预热处理后，再送入至PECVD设备的工艺腔室(6)进行蒸镀减反射膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
