[发明专利]一种半导体发光元件及其制备方法有效
申请号: | 201710391429.1 | 申请日: | 2017-05-27 |
公开(公告)号: | CN107170865B | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 林继宏;林兓兓;蔡吉明;张家宏 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: |
本发明属于半导体技术领域,尤其涉及一种半导体发光元件,其至少包括衬底,以及位于所述衬底上的缓冲层、N型层、第一势垒层、浅量子阱层、多量子阱发光层和P型层,其特征在于:于所述N型层和第一势垒层之间插入差排形成层,所述差排形成层包括交替层叠的InxGa1‑xN子层和n‑GaN子层,其中0.01 |
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搜索关键词: | 一种 半导体 发光 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体发光元件,其至少包括衬底,以及位于所述衬底上的缓冲层、N型层、第一势垒层、浅量子阱层、多量子阱发光层和P型层,其特征在于:于所述N型层和第一势垒层之间插入差排形成层,所述差排形成层包括交替层叠的InxGa1‑xN子层和n‑GaN子层,其中0.01<x<0.1。
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