[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201710506670.4 申请日: 2017-06-28
公开(公告)号: CN107725248B 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 宫沢繁美 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: F02P3/05 分类号: F02P3/05
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 孙昌浩;李盛泉
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供半导体装置,包括将功率半导体器件切实地切换为截止的驱动电路。该半导体装置具备:功率半导体元件,连接于高电位侧的第一端子与低电位侧的第二端子之间,根据栅极电位被控制为导通或截止;第一栅极控制部,根据从控制端子输入的、控制功率半导体元件的控制信号来控制功率半导体元件的栅极电位;放电电路,连接于功率半导体元件的栅极与基准电位之间,使充电到功率半导体元件的栅极的电荷放出;第二栅极控制部,根据功率半导体元件的集电极电流来控制功率半导体元件的栅极电位;反馈部,根据功率半导体元件的集电极电位向功率半导体元件的栅极反馈电荷;以及电流切断部,根据控制信号将从第一端子流向功率半导体元件的栅极的电流切断。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:功率半导体元件,其连接于高电位侧的第一端子与低电位侧的第二端子之间,根据栅极电位被控制为导通或截止;第一栅极控制部,其根据从控制端子输入的、控制所述功率半导体元件的控制信号来控制所述功率半导体元件的所述栅极电位;放电电路,其连接于所述功率半导体元件的栅极与基准电位之间,使充电到所述功率半导体元件的栅极的电荷放出;第二栅极控制部,其根据所述功率半导体元件的集电极电流来控制所述功率半导体元件的所述栅极电位;反馈部,其根据所述功率半导体元件的集电极电位向所述功率半导体元件的栅极反馈电荷;以及电流切断部,其根据所述控制信号将从所述第一端子流向所述功率半导体元件的栅极的电流切断。
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