[发明专利]一种基于自旋塞贝克效应的热电转换器件结构有效
| 申请号： | 201710548329.5 | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107331765B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 胡少杰;田祎龙;闵泰 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L35/26 | 分类号： | H01L35/26;H01L35/30 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于自旋塞贝克效应的热电转换器件结构，包括基本U型结构；基本U型结构包括由下至上或者由上至下依次设置的第一磁性层、电极层和第二磁性层；第一磁性层由第一正自旋塞贝克系数磁性薄膜和第一负自旋塞贝克系数的磁性薄膜连接构成；第二磁性层由第二正自旋塞贝克系数磁性薄膜和第二负自旋塞贝克系数的磁性薄膜连接构成；第一正自旋塞贝克系数磁性薄膜和第二正自旋塞贝克系数磁性薄膜位于基本U型结构的左臂；第一负自旋塞贝克系数的磁性薄膜和第二负自旋塞贝克系数的磁性薄膜位于基本U型结构的右臂。U型结构左右两部分的磁性层由自旋塞贝克系数异号的材料组成，可分别在电极层中产生不同方向的电势差并实现电势差串联叠加效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 旋塞 贝克 效应 热电 转换 器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种基于自旋塞贝克效应的热电转换器件结构，其特征在于，包括基本U型结构；基本U型结构包括由下至上或者由上至下依次设置的第一磁性层、电极层(4)和第二磁性层；第一磁性层由第一正自旋塞贝克系数磁性薄膜(2b)和第一负自旋塞贝克系数的磁性薄膜(3b)连接构成；第二磁性层由第二正自旋塞贝克系数磁性薄膜(2a)和第二负自旋塞贝克系数的磁性薄膜(3a)连接构成；第一正自旋塞贝克系数磁性薄膜(2b)和第二正自旋塞贝克系数磁性薄膜(2a)位于基本U型结构的左臂；第一负自旋塞贝克系数的磁性薄膜(3b)和第二负自旋塞贝克系数的磁性薄膜(3a)位于基本U型结构的右臂。
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