[发明专利]一种宽量程高精度集成双膜电容式压力传感器及制作方法有效

专利信息
申请号: 201710630396.1 申请日: 2017-07-28
公开(公告)号: CN107389230B 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 秦明;王振军;龙克文;何华娟 申请(专利权)人: 佛山市川东磁电股份有限公司;东南大学
主分类号: G01L1/14 分类号: G01L1/14
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 肖平安
地址: 528500 广东省佛山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及压力传感器技术领域,特指一种宽量程高精度集成双膜电容式压力传感器及制作方法,包括玻璃衬底,玻璃衬底上设有浅槽一与浅槽二,浅槽一与浅槽二通过细槽连通,浅槽二中心位置设有浅槽通孔,浅槽通孔从浅槽二底面延至玻璃衬底底面,浅槽一上设有可测量低压差的电容C1,浅槽二上设有可测量高压差的电容C2,可测量低压差的电容C1包括底电极板与薄压力敏感膜,可测量高压差的电容C2包括厚压力敏感膜与顶电极板,浅槽通孔通过细槽与可测量低压差的电容C1对应设置,浅槽通孔通过浅槽二与可测量高压差的电容C2对应设置。本发明通过可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2分别实现了压力在低压段与高压段的高精度测量。
搜索关键词: 一种 量程 高精度 集成 电容 压力传感器 制作方法
【主权项】:
1.一种宽量程高精度集成双膜电容式压力传感器,其特征在于:包括玻璃衬底(8),所述玻璃衬底(8)上设有浅槽一(80)与浅槽二(81),所述浅槽一(80)与浅槽二(81)通过细槽(82)连通,所述浅槽二(81)中心位置设有浅槽通孔(83),所述浅槽通孔(83)从浅槽二(81)底面延至玻璃衬底(8)底面,所述浅槽一(80)上设有可测量低压差的电容C1,所述浅槽二(81)上设有可测量高压差的电容C2,所述可测量低压差的电容C1包括底电极板(1)与薄压力敏感膜(2),所述可测量高压差的电容C2包括厚压力敏感膜(4)与顶电极板(5),所述浅槽通孔(83)通过细槽(82)与可测量低压差的电容C1对应设置,所述浅槽通孔(83)通过浅槽二(81)与可测量高压差的电容C2对应设置;所述底电极板(1)覆盖于浅槽一(80)底面上,所述薄压力敏感膜(2)左侧覆盖于玻璃衬底(8)上表面,所述薄压力敏感膜(2)右侧设有薄压力敏感膜通孔(20),所述薄压力敏感膜通孔(20)与浅槽二(81)的槽壁齐平设置,所述薄压力敏感膜(2)左侧通过第一支撑材料(6)间隔设有形变阻挡膜(3),所述形变阻挡膜(3)左侧设有形变阻挡膜通孔(30),所述形变阻挡膜(3)右侧设有厚压力敏感膜(4),所述厚压力敏感膜(4)覆盖于第一支撑材料(6)上,所述顶电极板(5)通过第二支撑材料(7)间隔设于厚压力敏感膜(4)上方,所述顶电极板(5)上设有顶电极板通孔(50)。
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