[发明专利]热场发射阴极及其制备方法、及应用其的真空电子器件有效
| 申请号： | 201710794394.6 | 申请日： | 2017-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN107564783B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 阴生毅;卢志鹏;张永清;张兆传;任峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J1/142 | 分类号： | H01J1/142;H01J1/144;H01J1/20;H01J9/04 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 任岩<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 热场发射阴极及其制备方法、及应用其的真空电子器件，其中热场发射阴极包括钼筒及固定于其上的钨海绵体，其中：钨海绵体的上表面具有微尖阵列，该微尖阵列内部具有孔隙；钨海绵体内部的孔隙与微尖阵列内部的孔隙形成连通孔隙；连通孔隙内填充有活性物质。由于在钨海绵体表面形成有微尖阵列，且构成从钨海绵体直达微尖阵列内部孔隙的连通孔隙，该连通孔隙填有活性物质，从而在热扩散作用下，该活性物质可达到微尖阵列顶部，为实现低功函数的发射提供了条件，因此本发明的热场发射阴极的发射性能相较于传统的热发射阴极，工作温度及功耗大幅降低；相较于传统的场发射阴极，发射电流密度更高，且具有较强的抗打火能力。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 阴极 及其 制备 方法 应用 真空 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种热场发射阴极，包括钼筒及固定于其上的钨海绵体，其中：/n所述钨海绵体的上表面具有微尖阵列，该微尖阵列内部具有孔隙，该微尖阵列外部呈突起状；/n所述钨海绵体内部的孔隙与所述微尖阵列内部的孔隙形成连通孔隙；/n所述连通孔隙内填充有活性物质。/n
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- 阴生毅;卢志鹏;张永清;张兆传;任峰 - 中国科学院电子学研究所
- 2017-09-05 - 2019-12-03 - H01J1/142
- 热场发射阴极及其制备方法、及应用其的真空电子器件，其中热场发射阴极包括钼筒及固定于其上的钨海绵体，其中：钨海绵体的上表面具有微尖阵列，该微尖阵列内部具有孔隙；钨海绵体内部的孔隙与微尖阵列内部的孔隙形成连通孔隙；连通孔隙内填充有活性物质。由于在钨海绵体表面形成有微尖阵列，且构成从钨海绵体直达微尖阵列内部孔隙的连通孔隙，该连通孔隙填有活性物质，从而在热扩散作用下，该活性物质可达到微尖阵列顶部，为实现低功函数的发射提供了条件，因此本发明的热场发射阴极的发射性能相较于传统的热发射阴极，工作温度及功耗大幅降低；相较于传统的场发射阴极，发射电流密度更高，且具有较强的抗打火能力。
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