[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
申请号: | 201710811002.2 | 申请日: | 2017-09-11 |
公开(公告)号: | CN109494249B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 李荣原;陆俊岑;陈冠宏 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/417 | 分类号: | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种半导体元件及其制造方法。所述半导体元件包括基底、半导体纳米线、栅极结构、第一金属纳米线以及第二金属纳米线。半导体纳米线垂直配置于基底上。栅极结构环绕半导体纳米线的中间部分。第一金属纳米线位于半导体纳米线的一侧,且与半导体纳米线的下部部分电连接。第二金属纳米线位于半导体纳米线的另一侧,且与栅极结构电连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体元件,包括:半导体纳米线,垂直配置于基底上;栅极结构,环绕所述半导体纳米线的中间部分;第一金属纳米线,位于所述半导体纳米线的一侧,且与所述半导体纳米线的下部部分电连接;以及第二金属纳米线,位于所述半导体纳米线的另一侧,且与所述栅极结构电连接。
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