[发明专利]一种直接型X射线探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201711078675.8 申请日: 2017-11-06
公开(公告)号: CN109755342B 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 梁会力;崔书娟;张永晖;霍文星;王涛;梅增霞;杜小龙 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: H01L31/115 分类号: H01L31/115;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/18
代理公司: 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 代理人: 薛峰;康正德
地址: 100190 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种直接型X射线探测器及其制备方法,属于X射线探测技术领域。其包括基片,宽带隙氧化物薄膜活性层,所述宽带隙氧化物薄膜活性层设置于所述基片的一侧表面,且用于将来自辐射源的入射辐射直接转换成电子和空穴对;电极,所述电极包括安装在所述宽带隙氧化物薄膜活性层同侧的第一电极和第二电极;其中,所述宽带隙氧化物薄膜活性层中含有浓度可调控的氧空位。本发明提供的直接型X射线探测器具有暗电流低、信噪比高、制备工艺简单、成本低廉等优点,与柔性印刷电子工艺兼容,有望实现柔性X射线探测器的大规模产业化生产。
搜索关键词: 一种 直接 射线 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种直接型X射线探测器,包括:基片,宽带隙氧化物薄膜活性层,所述宽带隙氧化物薄膜活性层设置于所述基片的一侧表面,且用于将来自辐射源的入射辐射直接转换成电子和空穴对;电极,所述电极包括安装在所述宽带隙氧化物薄膜活性层同侧的第一电极和第二电极;其中,所述宽带隙氧化物薄膜活性层中含有浓度可调控的氧空位。
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