[发明专利]太阳能电池低表面磷源浓度扩散方法在审
申请号: | 201711084940.3 | 申请日: | 2017-11-07 |
公开(公告)号: | CN107910256A | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 王森栋;白翔;梁玲 | 申请(专利权)人: | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/223 | 分类号: | H01L21/223;H01L21/225;H01L31/18 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司14101 | 代理人: | 李富元 |
地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明涉及太能电池领域,特别涉及太阳能电池硅片磷扩散领域。太阳能电池低表面磷源浓度扩散方法,第一步沉积沉积过程,沉积过程采用恒温沉积;第二步沉积沉积过程,沉积过程采用升温沉积;第三步沉积沉积过程,沉积过程采用升温沉积。本发明采用三步沉积,并且在沉积过程中同时减少氧气增加磷源的通量,在沉积的同时进行氧化,在硅片表面形成氧化层使磷源在硅片表面充分堆积,在降低表面掺杂浓度的同时保证方阻的偏差范围满足需求。这样在推进时氧化层可有效的减少表面死层,并且在沉积过程,使磷源通量递增,改善方阻均匀性。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 表面 浓度 扩散 方法 | ||
【主权项】:
太阳能电池低表面磷源浓度扩散方法,其特征在于:在沉积过程采用三步沉积第一步沉积:沉积过程,保持氧气流量700‑1000sccm、氮气流量5‑10slm、三氯化氧磷流量600‑800sccm、沉积时间4‑6min、温度750‑800℃;第二步沉积:沉积过程,在第一步沉积的参数的基础上,氧气流量减少100 sccm,氮气流量和三氯化氧磷流量保持不变,沉积时间增加1 min,温度按照恒定速率在第二步沉积时间内升高10℃;第三步沉积:沉积过程,在第二步沉积的参数的基础上,氧气流量减少100 sccm,氮气流量不变,三氯化氧磷流量提高100 sccm,时间增加3 min,温度按照恒定速率在第二步沉积时间内升高5℃。
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- 本发明公开一种磷扩散均匀性的修复方法,包括氧化、第一次沉积、第二次沉积、第三次沉积、推结五个步骤,且五个步骤于不相同的温度条件下完成。通过将传统的单步磷扩散过程变为多步扩散过程,同时将传统的恒温磷扩散过程变成了变温磷扩散过程,克服了传统的磷扩散方法在界面区域容易扩散不均匀的弊端,增加多步变温磷扩散处理,可以使磷扩散沉积的界面的均匀性得到比较好的修复,提高磷扩散的均匀性的同时,提升晶硅电池的转换效率。
- 新型扩散炉湿氧扩散装置-201721344053.0
- 赵卫东;赵枫;赵雅;郭盼盼;杨冬琴;李永仓 - 江苏东鋆光伏科技有限公司
- 2017-10-19 - 2018-05-01 - H01L21/223
- 本实用新型涉及一种新型扩散炉湿氧扩散装置,它包括低恒温槽和高恒温槽,在所述低恒温槽和高恒温槽中分别设置有源瓶和水汽瓶,所述源瓶和水汽瓶上均设置有出气口和进气口,出气口位于液面上方,进气口位于液面下方,所述源瓶的进气口与氮气气源连接,出气口与扩散炉的气体入口相连,扩散炉的气体入口同时与氧气气源连接。本实用新型在扩散过程中导入湿法氧化过程,不仅可以一定程度上降低源量,同时形成的较厚的氧化层可以很好降低表面扩散P的浓度,提高表面杂质分布的均匀性,形成较低表面浓度的PN结,并在增加扩散硅片数量的同时确保扩散均匀性,确保PN质量的同时提高产能。
- 太阳能电池低表面磷源浓度扩散方法-201711084940.3
- 王森栋;白翔;梁玲 - 山西潞安太阳能科技有限责任公司
- 2017-11-07 - 2018-04-13 - H01L21/223
- 本发明涉及太能电池领域,特别涉及太阳能电池硅片磷扩散领域。太阳能电池低表面磷源浓度扩散方法,第一步沉积沉积过程,沉积过程采用恒温沉积;第二步沉积沉积过程,沉积过程采用升温沉积;第三步沉积沉积过程,沉积过程采用升温沉积。本发明采用三步沉积,并且在沉积过程中同时减少氧气增加磷源的通量,在沉积的同时进行氧化,在硅片表面形成氧化层使磷源在硅片表面充分堆积,在降低表面掺杂浓度的同时保证方阻的偏差范围满足需求。这样在推进时氧化层可有效的减少表面死层,并且在沉积过程,使磷源通量递增,改善方阻均匀性。
- PN结的扩散方法、气体扩散装置和晶体硅太阳能电池片-201510134303.7
- 徐建龙;吕日祥 - 江西泰明光伏有限公司
- 2015-03-26 - 2018-04-03 - H01L21/223
- 本发明公开了一种PN结的扩散方法,包括将硅片插到扩散炉内并升至第一预设温度;经扩散炉管向扩散炉通入小氮、氧气和大氮,同时通过变量流量计调控所述小氮的流量,持续第一预设时间;扩散炉内温度升至第二预设温度,并经扩散炉管向扩散炉通入预设含量的氧气和大氮,持续第二预设时间;扩散过程结束,在扩散炉降温后取出硅片。本发明所公开的PN结的扩散方法,通过变量流量计调控所述小氮的流量,从而改变扩散炉内三氯氧磷的浓度,进而改变扩散源进入硅片内部的扩散量,从而形成更明显的浓度梯度,有效的提升太阳能电池片的光电转换效率。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造