[发明专利]一种带漏电流消除技术的低导通电阻平坦度模拟开关有效
| 申请号： | 201711108482.2 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107786190B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 张盼盼;徐青;孟华群;杭丽;王鹏;甘明富;高兴国;赵思源 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H03K17/16 | 分类号： | H03K17/16;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种带漏电流消除技术的低导通电阻平坦度模拟开关，属于半导体技术领域。包括：第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管；第一PMOS晶体管的源极和漏极分别与第一NMOS晶体管的源极和漏极相连接，并作为模拟开关的输入端和输出端，第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的栅极连接控制信号；还包括衬底控制晶体管、栅极控制电路Ⅰ和栅极控制电路Ⅱ，栅极控制电路Ⅰ可由第三PMOS晶体管、第三NMOS晶体管构成，栅极控制电路Ⅱ可由第四PMOS晶体管、第四NMOS晶体管构成。本发明中通过在传统模拟开关导通电阻平坦度设计基础上增加栅端控制电路，使得模拟开关导通电阻平坦度得到一定优化的同时，模拟开关切换瞬间在输出端口产生的瞬态漏电流也得以消除。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 漏电 消除 技术 通电 平坦 模拟 开关 | ||
【主权项】：
一种带漏电流消除技术的低导通电阻平坦度模拟开关，其特征在于：第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、衬底控制晶体管和栅极控制电路；所述第一PMOS晶体管的源极和漏极分别与所述第一NMOS晶体管的源极和漏极相连接，并作为模拟开关的输入端和输出端，所述第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的栅极连接控制信号；所述衬底控制晶体管包含第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管的漏极相互连接，所述第二PMOS晶体管的源极接高电平，所述第二NMOS晶体管的源极与所述第一PMOS晶体管的源极连接；所述第一PMOS晶体管的衬底连接至所述第二PMOS晶体管的漏极；所述栅极控制电路包含栅极控制电路Ⅰ和栅极控制电路Ⅱ，所述栅极控制电路Ⅰ和栅极控制电路Ⅱ的一端分别连接至所述第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管的栅极，所述栅极控制电路用于控制所述衬底控制晶体管非同时开启或关断。
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