[发明专利]一种半导体设备

摘要

本发明公开了一种半导体设备，包括：沉积腔室，用于对衬底进行沉积工艺，形成沉积层；表面处理腔室，用于对沉积层进行表面钝化或刻蚀工艺处理；远程等离子体源，共用于沉积腔室和表面处理腔室，用于向表面处理腔室通入第一等离子体，以对沉积层进行表面钝化处理或刻蚀工艺，以及用于对沉积腔室通入第二等离子体，以对沉积腔室进行清洗。本发明通过设置单独的表面处理腔室进行表面钝化工艺，可简化现有沉积工艺腔室结构，拓宽沉积工艺和表面处理工艺的工艺窗口，并通过使沉积腔室和表面表面处理腔室共用一个远程等离子体源，可提升远程等离子体源的利用率，降低表面钝化或刻蚀工艺腔室的整体成本。

主权项

1.一种半导体设备，其特征在于，包括：沉积腔室、表面处理腔室和远程等离子体源，其中：所述沉积腔室用于对衬底进行沉积工艺，形成沉积层；所述表面处理腔室用于对所述沉积层进行表面钝化或刻蚀工艺处理；所述远程等离子体源共用于所述沉积腔室和所述表面处理腔室，用于向所述表面处理腔室通入第一等离子体，以对所述沉积层进行表面钝化处理或刻蚀工艺；所述远程等离子体源还用于对所述沉积腔室通入第二等离子体，以对沉积腔室进行清洗。