[发明专利]一种用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线及其阵列有效
| 申请号： | 201711277252.9 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN107978865B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 修威;乔帅阳;杨光 | 申请（专利权）人： | 北京华镁钛科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q9/04 | 分类号： | H01Q9/04;H01Q21/06 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 巴晓艳 |
| 地址： | 北京市海淀区农大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线及其阵列，其包括顶部介质层，中间介质层，底部介质层，位于顶部介质层之上的环形结构，位于中间介质层之上的矩形贴片和环形结构，位于地板之上的缝隙，位于底部介质层之下的第一馈线和第二馈线，其两端分别端接左旋圆极化端口和右旋圆极化端口，天线的左旋圆极化通过端口获得，右旋圆极化通过端口获得。其具有扫描范围±70°,宽带宽，大的波束宽度，低的宽角度轴比，结构简单等特点，天线有两个端口，可方便选择任意的左旋或右旋极化方式，并可扩展为任意多的大型相控阵。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 相控阵 扫描 波段 极化 微带 天线 及其 阵列 | ||
【主权项】：
一种用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线,其特征在于：所述天线包括顶部介质层（1），中间介质层（2），底部介质层（3），位于顶部介质层（1）之上的第一环形结构（11），位于中间介质层（2）之上的矩形贴片（4）和第二环形结构（10），位于地板（12）之上的缝隙（5），位于底部介质层（3）之下的第一馈线（6）和第二馈线（9），第一馈线（6）和第二馈线（9）两端分别端接左旋圆极化端口（7）和右旋圆极化端口（8），所述天线的左旋圆极化通过左旋圆极化端口（7）获得，右旋圆极化通过右旋圆极化端口（8）获得。
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