[发明专利]具有密封结构的半导体装置有效
申请号: | 201711406021.3 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN108242429B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | D.博纳特 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;杜荔南 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了具有密封结构的半导体装置。所公开的是一种半导体装置。半导体装置包括:具有第一表面、内部区和边缘区的半导体主体,其中边缘区围绕内部区;在第一方向上与半导体主体的第一表面间隔开的附连层;布置在半导体主体的第一表面与附连层之间的中间层;以及至少一个第一类型密封结构。密封结构包括第一屏障、第二屏障和第三屏障。第一屏障布置在中间层中并且在第一方向上与附连层间隔开。第二屏障布置在中间层中、在第一方向上与第一表面间隔开、并且在第二方向上与第一屏障间隔开。第三屏障在第二方向上从第一屏障延伸到第二屏障。 | ||
搜索关键词: | 具有 密封 结构 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:具有第一表面、内部区和边缘区的半导体主体,其中边缘区围绕内部区;在第一方向上与半导体主体的第一表面间隔开的附连层;布置在半导体主体的第一表面与附连层之间的中间层;以及至少一个第一类型密封结构,包括:布置在中间层中并且在第一方向上与附连层间隔开的第一屏障,布置在中间层中的第二屏障,其中第二屏障邻接附连层、在第一方向上与第一表面间隔开、并且在第二方向上与第一屏障间隔开,以及在第二方向上从第一屏障延伸到第二屏障的第三屏障。
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