[发明专利]场效应半导体构件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711433835.6 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN108231868B | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | M·聪德尔;K-H·巴赫;A·伍德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/265;H01L21/324;H01L21/336;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;张鹏 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种场效应构件，包括半导体主体，其在边缘区域从背面延伸至半导体主体的表面，并且半导体主体包括半导体台面，半导体台面以垂直于背面和/或表面的竖直的方向延伸至安置在表面之上的一个高度(h |
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| 搜索关键词： | 场效应 半导体 构件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应构件(100)，其包括半导体主体(40)，所述半导体主体在边缘区域(120)从背面(102)延伸至所述半导体主体(40)的表面(101)，并且所述半导体主体包括半导体台面(20)，所述半导体台面以垂直于所述背面(102)和/或所述表面(101)的竖直的方向延伸至安置在所述表面(101)之上的一个高度(hM)处的半导体台面顶侧(103)，其中，所述半导体主体(40)在竖直的横截面中还包括：‑漂移区(1)，所述漂移区至少在所述边缘区域中延伸至所述表面(101)并且部分地安置在所述半导体台面(20)之中；以及‑至少部分地安置在所述半导体台面(20)之中的主体区(2)，所述主体区与所述漂移区(1)形成第一pn结(14)，所述第一pn结在所述半导体台面(20)的两个侧壁(21)之间延伸，其中，所述第一pn结(14)在水平方向上离所述半导体台面顶侧(103)的垂直距离(d)会变化并且在由两个侧壁(21)隔开的中央区域(2c)中采用最大的值(d1)。
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