[发明专利]一种用于单晶硅的高效生产设备有效
| 申请号： | 201711446141.6 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN107881552B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 刘彬国;李德建;李红友;杨伟强;黄旭光;李朝阳 | 申请（专利权）人： | 晶澳（邢台）太阳能有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/12 | 分类号： | C30B15/12;C30B15/16;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 河北知亦可为专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 章玉琳 |
| 地址： | 054000 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于单晶硅的高效生产设备，该生产设备包括单晶炉及用于单晶炉的加热系统，单晶炉内部设置有用于承载硅液的石英坩埚，加热系统包括微波发生装置和微波传输机构，微波传输机构为带有防微波抽真空回路的不锈钢管道，微波发生装置的输出端借助不锈钢管道与单晶炉相连并进行微波输送，所述单晶炉中设置有用于支撑石英坩埚升降旋转的石墨埚杆，石英坩埚外部设置有石墨坩埚，单晶炉内部由上到下依次设置有石英导流筒、带有钼质反射板的石墨保温桶、带有钼质反射板的石墨支撑块、圆筒形的保温毡、石英保温桶、排气孔及微波防护网以及带有钼质反射板的成型炉底；该设备利用微波加热进行拉晶，送温快，生产效率和产量均有显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 单晶硅 高效 生产 设备 | ||
【主权项】：
一种用于单晶硅的高效生产设备，该生产设备包括单晶炉(11)及用于单晶炉(11)的加热系统，单晶炉(11)内部设置有用于承载硅液的石英坩埚(10)，其特征在于：所述的加热系统包括微波发生装置(13)和微波传输机构，微波传输机构为带有防微波抽真空回路(17)的不锈钢管道(12)，微波发生装置(13)的输出端借助不锈钢管道(12)与单晶炉(11)相连并进行微波输送，所述单晶炉(11)中设置有用于支撑石英坩埚(10)升降旋转的石墨埚杆(8)。
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- 2022-03-31 - 2022-09-06 - C30B15/12
- 本实用新型公开了一种石英坩埚及单晶炉，石英坩埚包括：第一坩埚；第二坩埚，第二坩埚限定出适于盛放硅熔汤的生长空间，第二坩埚和第一坩埚之间限定出加料空间，第二坩埚的底壁设有多个用于连通加料空间和生长空间的第一连通孔；分隔件，分隔件设于加料空间内且位于硅熔汤的液面的上方，分隔件形成为环形，分隔件的内边沿与第二坩埚相连，分隔件的外边沿与第一坩埚相连，分隔件将加料空间分隔成第一化料空间和第二化料空间，分隔件上设有过滤孔，过滤孔用于分隔一类硅料和二类硅料。根据本实用新型的石英坩埚，可实现分区域化料，从而可提升化料效率，缩短化料时间，同时可避免熔汤液面发生波动，有利于保证晶棒的生长品质。
- 具有多熔体区的坩埚-202220735391.1
- 田野;陈俊宏 - 徐州鑫晶半导体科技有限公司
- 2022-03-31 - 2022-08-09 - C30B15/12
- 本实用新型公开了一种具有多熔体区的坩埚，包括：第一坩埚和第二坩埚，第一坩埚包括第一侧壁、第一底壁；第二坩埚包括第二侧壁、第二底壁，第二坩埚设置于第一坩埚内，第二坩埚限定形成晶体生长区，第二底壁沿周向方向向外延伸与第一坩埚相接，第二坩埚外侧壁与第二底壁之间沿第二坩埚的周向设有隔离壁；坩埚限定形成加料区、第一熔体区、第二熔体区；第二底壁上开设有连通加料区和第一熔体区的第一过孔，以及连通第一熔体区和第二熔体区的第二过孔，第二侧壁开设有连通第二熔体区和晶体生长区的第三过孔。本实用新型公开的坩埚有利于提升晶体生长区内熔汤的均匀性，还可以防止未完全熔化的硅材料直接进入晶体生长区造成杂质。
- 一种单晶炉坩埚埚托架-202123118647.9
- 付明全;刘鑫;徐志群;邰文星;余亮亮 - 青海高景太阳能科技有限公司;广东高景太阳能科技有限公司
- 2021-12-13 - 2022-08-09 - C30B15/12
- 本实用新型公开一种单晶炉坩埚埚托架，所述托架机构上方设有托盘，所述托盘内垂直贯穿设有通气槽，所述托盘内嵌设有盘型水冷管，所述托盘下方设有连接槽，所述连接托杆上端设有适配阶，所述连接托杆上方通过锁定机构与连接槽适配，所述连接托杆上设有限位环，所述限位环上表面嵌设有密封胶圈；本实用新型通过在坩埚的托盘上设置多组通气槽改善石英坩埚与石墨埚托接触面的排气结构，防止排气不畅引起的坩埚鼓包、坩埚变形等问题，确保炉台运行稳定性，减少异常发生带来的损失，同时内部的盘型冷水管再需冷却时通入循环冷水，对其进行快速散热。
- 一种水平对中校准夹具、拉晶炉及水平对中校准方法-201911311540.0
- 潘浩;其他发明人请求不公开姓名 - 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
- 2019-12-18 - 2022-04-08 - C30B15/12
- 本发明公开了一种水平对中校准夹具，包括：若干支撑架、若干第一平衡件以及若干可为竖直状态或水平状态的测量组件，其中，所述第一平衡件设置于所述支撑架上，所述测量组件活动设置于所述支撑架上，且所述测量组件处于竖直状态时，所述测量组件以第一校准值为基准测量待测量件的第一状态，所述测量组件处于水平状态时，所述测量组件以第二校准值为基准测量待测量件的第二状态。本发明所提供的水平对中校准夹具可以确保待测量件处于水平对中状态，为后续处理工序奠定基础。
- 一种晶体制备系统-202110381291.3
- 王宇;官伟明;梁振兴 - 眉山博雅新材料股份有限公司
- 2021-04-09 - 2022-04-05 - C30B15/12
- 本说明书实施例提供一种晶体制备系统，该系统包括：炉体；保温筒，保温筒位于炉体内；埚组件，其中，埚组件位于保温筒内；埚组件至少包括内层埚和外层埚，其中，内层埚与外层埚之间的间隙小于预设间隙值；间隙内填充填充体；电阻加热组件，其中，电阻加热组件包括加热体，加热体包括多个加热单元，多个加热单元形成均匀温度场；多个加热单元环绕设置于埚组件外周；多个加热单元与埚组件之间的距离满足预设条件；保温层，保温层环绕设置于多个加热单元外侧、保温筒顶部和/或埚组件底部。
- 连续型锭生长装置-202011404236.3
- 裵东佑;李京锡;李泳敏 - 韩华思路信
- 2020-12-03 - 2022-03-29 - C30B15/12
- 本发明涉及连续型锭生长装置，更具体地，涉及可通过感应加热方式来使固态硅材料熔融并向主坩埚进行供给的连续型锭生长装置。为此，本发明一实施方式的连续型锭生长装置可包括：生长炉，在内部设置有为了形成锭而收容熔融状态的硅的主坩埚；材料供给部，用于供给使上述熔融状态的硅熔融之前的固态硅材料；以及预备熔融部，包括预备坩埚、加热空间以及预备坩埚加热模块，上述预备坩埚用于使从上述材料供给部供给的上述固态硅材料熔融，能够在上述加热空间对上述预备坩埚进行加热，上述预备坩埚加热模块通过感应加热方式来对上述预备坩埚进行加热，可直接从上述预备坩埚向上述主坩埚供给上述熔融状态的硅。
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