[发明专利]一种新型结构的碲化镉薄膜电池及其制备方法在审
申请号: | 201711462864.5 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108183141A | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;文秋香 | 申请(专利权)人: | 成都中建材光电材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/0296 | 分类号: | H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/073;H01L31/18 |
代理公司: | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人: | 李华;温黎娟 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开一种新型结构的碲化镉薄膜电池及其制备方法,所述薄膜电池依次设置有衬底层、窗口层、光吸收层、背接触层、背电极层,所述衬底层和所述窗口层之间还设置有阻挡层,所述阻挡层的材料为TiO2。该该电池中包含了TiO2阻挡层结构,利用能级差异间形成的能级势垒,与CdS窗口层形成多级跃迁结构,提高电池中载流子的传递效率,增加载流子的利用率,降低复合,达到效提升效率的目标。 | ||
搜索关键词: | 窗口层 阻挡层 电池 载流子 能级 碲化镉薄膜 衬底层 制备 薄膜电池 背电极层 背接触层 传递效率 光吸收层 依次设置 势垒 跃迁 复合 | ||
【主权项】:
1.一种新型结构的碲化镉薄膜电池,其特征在于,所述薄膜电池依次设置有衬底层、窗口层、光吸收层、背接触层、背电极层,所述衬底层和所述窗口层之间还设置有阻挡层,所述阻挡层的材料为TiO2。
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- 本发明所要解决的问题是克服目前制备SnO需要依靠复杂设备、苛刻沉积条件等缺点,提供了一种简单方法原位制备SnO半导体光电薄膜材料的方法,制备成本低,能大面积成膜,具有很好的应用前景。本申请采用元素直接反应的方法,将溅射在不同基底、不同厚度的Sn薄膜(50nm~400nm)置于管式炉中,经过100℃~400℃煅烧,使单质Sn薄膜与空气中的O2发生反应生成致密均匀的SnO薄膜。不同温度、不同厚度的SnO薄膜的光吸收能力、表面形貌不同,拓宽了SnO在光电材料中的应用。该方法简单有效,对制备条件要求低,不需要复杂的制备条件,有利于低成本大规模的制备SnO半导体光电薄膜材料。
- 一种光电器件及其制备方法-201710315015.0
- 不公告发明人 - 苏州市皎朝纳米科技有限公司
- 2017-05-07 - 2017-08-25 - H01L31/0296
- 本发明公开了一种能同时产生光电效应与电致发光的器件及其制备方法,该材料由一种硫化镉/碲化镉异质结纳米棒经封装而来,具体包含各向异性导电膜、Al电极、ZnO、异质结纳米棒、7,7',8,8'‑四氟‑2,3,5,6‑四氰二甲基对苯醌、TCNQF4等部分。本发明还公开了这种器件的制备方法。
- 一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料-201621124857.5
- 王经纬;高达;王丛;刘铭;强宇;周立庆 - 中国电子科技集团公司第十一研究所
- 2016-10-14 - 2017-08-08 - H01L31/0296
- 本实用新型涉及一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。本实用新型的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料,包括硅基复合衬底,以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层,所述碲镉汞短波吸收层为Hg1‑xCdxTe,其中x=0.4~0.41;所述碲镉汞阻挡层为Hg1‑xCdxTe,其中x=0.5~0.55;所述碲镉汞中波吸收层为Hg1‑xCdxTe,其中x=0.3~0.31。借助于本实用新型的技术方案,得到了一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料,填补了现有技术中没有硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的空白。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的