[发明专利]用均匀碳纳米管薄膜进行太赫兹检测和光谱分析有效
申请号: | 201780017029.2 | 申请日: | 2017-02-22 |
公开(公告)号: | CN108885172B | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | A·法尔克;D·B·法默;汉述仁 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | G01N21/63 | 分类号: | G01N21/63 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 于静;杨晓光 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 检测器及其形成方法包括将半导体碳纳米管平行排列在基板上以形成纳米管层(208)。将纳米管层中的排列的半导体碳纳米管切割成对应于检测频率的一致的长度(216)。在纳米管层的相对端形成金属触点(218)。 | ||
搜索关键词: | 均匀 纳米 薄膜 进行 赫兹 检测 光谱分析 | ||
【主权项】:
1.一种用于形成检测器的方法,包括:将多个半导体碳纳米管平行排列在基板上以形成纳米管层;将所述纳米管层中排列的多个半导体碳纳米管切割成对应于检测频率的一致的长度;以及在所述纳米管层的相对端形成金属触点。
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