[发明专利]处理液、其制造方法、图案形成方法及电子器件的制造方法有效
| 申请号： | 201780021942.X | 申请日： | 2017-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN108885413B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 上村哲也 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;G03F7/16;G03F7/32;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 薛海蛟 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的目的为提供一种能够抑制缺陷的产生且能够制造微细的抗蚀剂图案或微细的半导体元件的半导体制造用处理液。本发明的实施方式的半导体制造用处理液含有1种或2种以上的满足下述条件(a)的化合物(A)、1种或2种以上的满足下述条件(b)的化合物(B)、1种或2种以上的选自Al化合物及NOx化合物的化合物(C)。在该处理液中，化合物(A)的含有率的合计为70.0～99.9999999质量％，化合物(B)的含有率的合计为10 |
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| 搜索关键词： | 处理 制造 方法 图案 形成 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种处理液，其含有：1种或2种以上的满足下述条件(a)的化合物(A)；1种或2种以上的满足下述条件(b)的化合物(B)；及1种或2种以上的选自Al化合物及NOx化合物的化合物(C)，化合物(A)在所述处理液中的含有率的合计为70.0质量％～99.9999999质量％，化合物(B)在所述处理液中的含有率的合计为10‑10质量％～0.1质量％，下述式I所表示的化合物(B)与化合物(C)的比率P为103～10‑6，条件(a)：是选自酰胺化合物、酰亚胺化合物及亚砜化合物，且所述处理液中的含有率为5.0质量％～99.9999999质量％的化合物；条件(b)：是选自酰胺化合物、酰亚胺化合物及亚砜化合物，且所述处理液中的含有率为10‑11质量％～0.1质量％的化合物，P＝[化合物(C)的总质量]/[化合物(B)的总质量] 式I。
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