[发明专利]带有石墨烯前驱体的SiC基板的制备方法和SiC基板的表面处理方法有效
| 申请号： | 201780026028.4 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN109071231B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 金子忠昭;久津间保德;堂岛大地 | 申请（专利权）人： | 学校法人关西学院 |
| 主分类号： | C01B32/188 | 分类号： | C01B32/188;C30B29/36;C30B33/02;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;谢弘 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包括石墨烯前驱体形成工艺，在该石墨烯前驱体形成工艺中，通过加热SiC基板，使该SiC基板表面的Si面上的Si原子升华以形成石墨烯前驱体，并在石墨烯覆盖该石墨烯前驱体之前停止加热。在石墨烯前驱体形成工艺中处理的SiC基板上形成有由多级的分子层组成的台阶。在台阶上形成有以下的台阶结构：与一个C原子的悬空键的分子层相比，二个C原子的悬空键的分子层设置得更靠近所述表面侧。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 石墨 前驱 sic 制备 方法 表面 处理 | ||
【主权项】：
1.一种带有石墨烯前驱体的SiC基板的制备方法，其特征在于：包括石墨烯前驱体形成工艺，在该石墨烯前驱体形成工艺中，通过加热SiC基板，使该SiC基板表面的Si面上的Si原子升华以形成石墨烯前驱体，并在石墨烯覆盖该石墨烯前驱体之前停止加热；在所述石墨烯前驱体形成工艺中处理的SiC基板上形成有由多级的分子层组成的台阶；在所述台阶上形成有以下的台阶结构：与一个C原子的悬空键的分子层相比，二个C原子的悬空键的分子层设置得更靠近所述表面侧。
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- 金子忠昭;久津间保德;堂岛大地 - 学校法人关西学院
- 2017-04-27 - 2022-07-26 - C01B32/188
- 包括石墨烯前驱体形成工艺，在该石墨烯前驱体形成工艺中，通过加热SiC基板，使该SiC基板表面的Si面上的Si原子升华以形成石墨烯前驱体，并在石墨烯覆盖该石墨烯前驱体之前停止加热。在石墨烯前驱体形成工艺中处理的SiC基板上形成有由多级的分子层组成的台阶。在台阶上形成有以下的台阶结构：与一个C原子的悬空键的分子层相比，二个C原子的悬空键的分子层设置得更靠近所述表面侧。
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