[发明专利]零功率传感器有效
| 申请号： | 201810023867.7 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108288622B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | J·M·雷诺;L·斯塔克;F·卡克林 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(RD)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/142 | 分类号： | H01L27/142 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 英国白*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种零功率传感器。集成电路包括衬底以及在衬底上实现的至少一个光伏电池。至少一个光伏电池被配置为生成电源电压。电路在衬底上实现。电路由电源电压供电。至少一个光伏电池可以包括多个串联连接的光伏电池。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：衬底；在所述衬底上实现的光伏电池，所述光伏电池被配置为生成电源电压；以及在所述衬底上实现的有源电路装置，所述有源电路装置由所述电源电压供电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
