[发明专利]一种具有辐射限制框结构的太赫兹天线芯片及其制备方法有效
申请号: | 201810130080.0 | 申请日: | 2018-02-08 |
公开(公告)号: | CN108461481B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 林琦;林中晞;徐玉兰;陈景源;苏辉;朱振国;薛正群;丘文夫 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所;中国科学院大学 |
主分类号: | H01L23/58 | 分类号: | H01L23/58;H01L21/50;H01Q1/22 |
代理公司: | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 张祖萍 |
地址: | 350002 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及一种具有辐射限制框结构的太赫兹频率天线芯片及其制备方法,其中芯片包括:衬底、太赫兹辐射材料层、天线结构、绝缘增透层和辐射限制框结构;其中,辐射限制框结构以露出衬底的部分下表面和太赫兹辐射材料层的部分上表面的方式包围芯片基底,辐射限制框结构在衬底的下表面露出的部分形成背面透过区,辐射限制框结构在太赫兹辐射材料层的上表面露出的部分形成正面透过区,背面透过区形成辐射透过区;天线结构位于正面透过区内的太赫兹辐射材料层的上表面;绝缘增透层以露出天线结构的方式包围天线结构,辐射限制框结构与天线结构相互电绝缘。本发明提出的芯片及其制备方法可以紧凑、高效地实现太赫兹辐射的发射,并改善辐射的方向性。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 辐射 限制 结构 赫兹 天线 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具有辐射限制框结构的太赫兹频率天线芯片,其特征在于,所述太赫兹频率天线芯片包括:衬底、太赫兹辐射材料层、天线结构、绝缘增透层和辐射限制框结构;其中,太赫兹辐射材料层位于衬底的上表面,衬底和太赫兹辐射材料层夹合而成的结构构成芯片基底;辐射限制框结构以露出衬底的部分下表面和太赫兹辐射材料层的部分上表面的方式包围芯片基底,辐射限制框结构在衬底的下表面露出的部分形成背面透过区,辐射限制框结构在太赫兹辐射材料层的上表面露出的部分形成正面透过区,背面透过区形成辐射透过区;天线结构位于正面透过区内的太赫兹辐射材料层的上表面,天线结构与辐射限制框结构之间留有空隙;绝缘增透层位于正面透过区内的太赫兹辐射材料层的上表面,并以露出天线结构的方式包围天线结构,辐射限制框结构与天线结构相互电绝缘;绝缘增透层的外侧区域形成光学透过区。
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