[发明专利]一种具有辐射限制框结构的太赫兹天线芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810130080.0 申请日: 2018-02-08
公开(公告)号: CN108461481B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 林琦;林中晞;徐玉兰;陈景源;苏辉;朱振国;薛正群;丘文夫 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所;中国科学院大学
主分类号: H01L23/58 分类号: H01L23/58;H01L21/50;H01Q1/22
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 代理人: 张祖萍
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种具有辐射限制框结构的太赫兹频率天线芯片及其制备方法,其中芯片包括:衬底、太赫兹辐射材料层、天线结构、绝缘增透层和辐射限制框结构;其中,辐射限制框结构以露出衬底的部分下表面和太赫兹辐射材料层的部分上表面的方式包围芯片基底,辐射限制框结构在衬底的下表面露出的部分形成背面透过区,辐射限制框结构在太赫兹辐射材料层的上表面露出的部分形成正面透过区,背面透过区形成辐射透过区;天线结构位于正面透过区内的太赫兹辐射材料层的上表面;绝缘增透层以露出天线结构的方式包围天线结构,辐射限制框结构与天线结构相互电绝缘。本发明提出的芯片及其制备方法可以紧凑、高效地实现太赫兹辐射的发射,并改善辐射的方向性。
搜索关键词: 一种 具有 辐射 限制 结构 赫兹 天线 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种具有辐射限制框结构的太赫兹频率天线芯片,其特征在于,所述太赫兹频率天线芯片包括:衬底、太赫兹辐射材料层、天线结构、绝缘增透层和辐射限制框结构;其中,太赫兹辐射材料层位于衬底的上表面,衬底和太赫兹辐射材料层夹合而成的结构构成芯片基底;辐射限制框结构以露出衬底的部分下表面和太赫兹辐射材料层的部分上表面的方式包围芯片基底,辐射限制框结构在衬底的下表面露出的部分形成背面透过区,辐射限制框结构在太赫兹辐射材料层的上表面露出的部分形成正面透过区,背面透过区形成辐射透过区;天线结构位于正面透过区内的太赫兹辐射材料层的上表面,天线结构与辐射限制框结构之间留有空隙;绝缘增透层位于正面透过区内的太赫兹辐射材料层的上表面,并以露出天线结构的方式包围天线结构,辐射限制框结构与天线结构相互电绝缘;绝缘增透层的外侧区域形成光学透过区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所;中国科学院大学,未经中国科学院福建物质结构研究所;中国科学院大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810130080.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top