[发明专利]掩模板、曝光设备及掩模板的制造方法在审
申请号: | 201810166919.6 | 申请日: | 2018-02-28 |
公开(公告)号: | CN108333864A | 公开(公告)日: | 2018-07-27 |
发明(设计)人: | 赵立星;韩旭;王胜广 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种掩模板、曝光设备及掩模板的制造方法,所述掩模板包括掩模板本体,所述掩模板本体包括遮光区和透光区,所述掩模板本体上设置有磁性层,所述磁性层在所述掩模板本体上的正投影在所述透光区所在区域为透光结构。本发明提供的掩模板、曝光设备及掩模板的制造方法,能够调节掩模板的平整度,解决现有技术中掩模板因重力原因而导致弯曲的问题。 | ||
搜索关键词: | 掩模板 曝光设备 磁性层 透光区 制造 所在区域 透光结构 重力原因 平整度 遮光区 正投影 | ||
【主权项】:
1.一种掩模板,其特征在于,包括掩模板本体,所述掩模板本体包括遮光区和透光区,所述掩模板本体上设置有磁性层,所述磁性层在所述掩模板本体上的正投影在所述透光区所在区域为透光结构。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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