[发明专利]防止灰化工艺损伤基底的方法及半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201810247064.X | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108470683A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 徐杰;黄冲;李志国 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种防止灰化工艺损伤基底的方法及半导体器件的形成方法。提供了一基底及形成在所述基底上的薄膜层，所述薄膜层暴露出部分基底，在对所述薄膜层执行灰化工艺的过程中，通入了预设的含氧气体，以与暴露出的基底表面反应形成致密的、较厚的氧化层，使得氧化层能够有效地保护暴露出的基底表面，以防止基底表面受到污染及损伤，进而，本发明所提供的半导体器件的形成方法也可相应地提高半导体器件的饱和电流和阈值电压的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 半导体器件 基底表面 薄膜层 灰化 工艺损伤 氧化层 暴露 致密 饱和电流 含氧气体 阈值电压 有效地 预设 损伤 污染 | ||
【主权项】：
1.一种防止灰化工艺损伤基底的方法，其特征在于，包括：提供一基底，在所述基底上形成有一薄膜层，所述薄膜层暴露出部分所述基底；以及，对所述薄膜层执行灰化工艺，并在灰化过程中通入含氧气体，以和暴露出的基底反应，从而在暴露出的基底上生成一氧化层，以利用所述氧化层减轻所述灰化过程对所述基底的表面造成的损伤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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