[发明专利]静电吸盘在审
申请号: | 201810270110.8 | 申请日: | 2018-03-29 |
公开(公告)号: | CN108695222A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 上藤淳平;佐佐木均;山口康介;前畑健吾;吉井雄一;糸山哲朗 | 申请(专利权)人: | TOTO株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 周善来;王玉玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种静电吸盘,其能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。具体而言,具备:陶瓷电介体基板,具有放置处理对象物的第1主面;电极层,设置于陶瓷电介体基板;基座板,支撑陶瓷电介体基板;及加热器板,设置在基座板与第1主面之间,其特征为,加热器板具有:第1加热器元件,因电流的流动而发热;及第2加热器元件,因电流的流动而发热,当在垂直于第1主面的方向上观察时,第1加热器元件比第2加热器元件折曲更多,第1加热器元件具有位于第2加热器元件的间隙的部分。 | ||
搜索关键词: | 加热器元件 陶瓷电介体 基板 处理对象物 加热器板 静电吸盘 基座板 主面 发热 温度分布 电极层 均匀性 折曲 流动 垂直 观察 支撑 | ||
【主权项】:
1.一种静电吸盘,具备:陶瓷电介体基板,具有放置处理对象物的第1主面;电极层,设置于所述陶瓷电介体基板;基座板,支撑所述陶瓷电介体基板;及加热器板,设置在所述基座板与所述第1主面之间,其特征为,加热器板具有:第1加热器元件,因电流的流动而发热;及第2加热器元件,因电流的流动而发热,当在垂直于所述第1主面的方向上观察时,所述第1加热器元件比所述第2加热器元件折曲更多,所述第1加热器元件具有位于所述第2加热器元件的间隙的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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