[发明专利]多重图案化方法

摘要

描述了半导体工艺中用于图案化的方法。形成其中具有切口的伪层。在伪层上方形成第一牺牲层，并且第一牺牲层的至少部分设置在切口中。在第一牺牲层上方形成第二牺牲层。将第二牺牲层图案化为具有第一图案。使用第二牺牲层的第一图案，将第一牺牲层图案化为具有第一图案。去除第二牺牲层。之后，包括改变第一牺牲层的第一图案的尺寸来在第一牺牲层中形成第二图案。使用第一牺牲层的第二图案，图案化伪层。沿着图案化的伪层的相应的侧壁形成掩模部分。使用掩模部分形成掩模。本发明的实施例还涉及多重图案化方法。

主权项

1.一种多重图案化方法，包括：在衬底上方形成伪层，所述伪层中具有切口；在所述伪层上方形成第一牺牲层，所述第一牺牲层的至少部分设置在所述切口中；在所述第一牺牲层上方形成第二牺牲层；将所述第二牺牲层图案化为具有第一图案；使用所述第二牺牲层的所述第一图案，将所述第一牺牲层图案化为具有所述第一图案；去除所述第二牺牲层；在去除所述第二牺牲层之后，包括改变所述第一牺牲层的所述第一图案的尺寸来在所述第一牺牲层中形成第二图案；使用所述第一牺牲层的所述第二图案，图案化所述伪层；沿着图案化的伪层的相应的侧壁形成掩模部分；以及使用所述掩模部分形成掩模，并且所述掩模将在蚀刻所述衬底的层期间使用。