[发明专利]一种高性能半导体氧化物复合结构紫外光探测器的制备方法

摘要

本发明公开了一种高性能半导体氧化物复合结构紫外光探测器的制备方法，属于半导体光电探测技术领域。本发明首先水热合成了有序排列的SnO2纳米棒阵列，再在其表面担载具有大量分枝结构的TiO2纳米颗粒，构成多级分枝结构，其制备方法简单、操作费用低。之后，将所制得电极板材料导电面面对面贴合，构成结构简单的三明治结构的紫外光探测器。该探测器不仅具有极好的紫外光选择性、较高的探测灵敏度，而且具有优异的紫外光响应度和光响应速率，解决了紫外光探测器高响应度和高响应速率难以兼得的问题，是一种高性能的紫外光探测器。

主权项

1.一种高性能半导体氧化物复合结构紫外光探测器的制备方法，其特征在于，步骤如下：在掺杂F的氧化锡导电玻璃FTO上旋涂氧化锡晶种层，水热法在其上生长有序排列的氧化锡纳米棒阵列，沉积法在氧化锡纳米棒阵列表面上担载多分枝结构的氧化钛纳米颗粒。