[发明专利]相移空白掩膜和光掩膜有效
| 申请号： | 201810513173.1 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110456608B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 南基守;申澈;金东建;李钟华;梁澈圭;崔珉箕 | 申请（专利权）人： | 思而施技术株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/26 | 分类号： | G03F1/26;G03F1/80 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 樊晓焕;金小芳 |
| 地址： | 韩国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本公开的相移膜包括组成不同的多个层，其可以通过一种蚀刻剂进行蚀刻，并且形成为连续膜或多层膜，所述膜通过一次或多次层叠具有不同组成的层而具有至少两层。因此，不仅通过减小相移膜的厚度，而且还通过考虑各种变量从而使得在将相移膜图案化时，使边界部分的截面倾斜度变陡以获得更清晰的相移膜图案边界，由此确保了相移膜图案的透射率、相移量和均匀性，因此提供了这样的相移空白掩膜和光掩膜，其中光刻对象和相移膜图案的图案精度得以改善。 | ||
| 搜索关键词： | 相移 空白 光掩膜 | ||
【主权项】：
1.一种相移空白掩膜，其具有位于透明衬底上的相移膜，其中，/n所述相移膜包括多层膜，该多层膜包括至少两层含有金属硅化物的层，并且/n所述多层膜的最顶层中所含的氮比至少一层下层所含的氮更多。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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