[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201810524887.2 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN109037308B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 金柱然 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置包括：鳍，从衬底突出并在第一方向上延伸；源极/漏极区，位于所述鳍上；凹陷，位于所述源极/漏极区之间；装置隔离区，包括顶盖层和装置隔离层，所述顶盖层沿所述凹陷的内表面延伸，所述装置隔离层位于所述顶盖层上以填充所述凹陷；虚设栅极结构，位于所述装置隔离区上且包括虚设栅极绝缘层；外部间隔件，位于所述虚设栅极结构的相对侧壁上；第一内部间隔件，位于所述虚设栅极结构与所述外部间隔件之间；以及第二内部间隔件，位于所述装置隔离区与所述虚设栅极绝缘层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：至少一个鳍，从衬底突出并在第一方向上延伸；多个源极/漏极区，位于所述鳍上；凹陷区，位于所述多个源极/漏极区之间；装置隔离区，包括顶盖层和装置隔离层，所述顶盖层沿所述凹陷区的内表面延伸，且所述装置隔离层位于所述顶盖层上以填充所述凹陷区；虚设栅极结构，位于所述装置隔离区上，所述虚设栅极结构在与所述第一方向不同的第二方向上延伸，且所述虚设栅极结构包括虚设栅极绝缘层；多个外部间隔件，位于所述虚设栅极结构的相对侧壁上；多个第一内部间隔件，位于所述虚设栅极结构与所述多个外部间隔件之间；以及第二内部间隔件，位于所述装置隔离区与所述虚设栅极绝缘层之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810524887.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：碳化硅晶片及其定位边加工方法
- 下一篇：一种功率器件终端结构及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
