[发明专利]反应腔室有效
| 申请号： | 201810563223.7 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN110556309B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 杨帅;董金卫;杨慧萍 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的反应腔室，包括：腔体，在所述腔体中设置有通孔；进气管，通过所述通孔延伸至所述腔体内；第一限位结构，设置在所述腔体的内侧；第二限位结构，设置在所述进气管上，且与所述第一限位结构相配合，以限制所述进气管的轴向旋转和径向平移；第三限位结构，与所述腔体连接，且与所述第二限位结构相配合，以限制所述进气管的径向旋转和轴向平移。本发明提供的反应腔室，其可以使进气管的固定稳定，从而可以提高反应气体在反应腔室内分布的均匀性，且不易破坏进气管。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 | ||
【主权项】：
1.一种反应腔室，其特征在于，包括：/n腔体，在所述腔体中设置有通孔；/n进气管，通过所述通孔延伸至所述腔体内；/n第一限位结构，设置在所述腔体的内侧；/n第二限位结构，设置在所述进气管上，且与所述第一限位结构相配合，以限制所述进气管的轴向旋转和径向平移；/n第三限位结构，与所述腔体连接，且与所述第二限位结构相配合，以限制所述进气管的径向旋转和轴向平移。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
