[发明专利]磁场传感器有效
| 申请号： | 201810726983.5 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN109212439B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | J·施密特 | 申请（专利权）人： | 亚德诺半导体集团 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 周阳君 |
| 地址： | 百慕大群岛(*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开磁场传感器。磁场传感器包括布置为半桥的第一磁阻元件和第二磁阻元件。磁场传感器还包括与第一磁阻元件和第二磁阻元件相邻的两个或更多个导体。两个或更多个导体可以承载偏置电流和补偿电流，使得偏置电流和补偿电流在沿与第一磁阻元件相邻的相同方向上流动，而偏置电流和补偿电流在沿与第二磁阻元件相邻的相反方向上流动。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
1.磁场传感器，包括：布置为半桥的第一磁阻元件和第二磁阻元件；和与所述第一磁阻元件和所述第二磁阻元件相邻的两个或更多个导体，所述两个或更多个导体被配置为承载偏置电流和补偿电流，使得所述偏置电流和所述补偿电流在沿与所述第一磁阻元件相邻的相同方向上流动，而所述偏置电流和所述补偿电流在沿与第二磁阻元件相邻的相反方向上流动。
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