[发明专利]一种纳米柱传感器、折射率检测装置及方法有效
| 申请号： | 201810859427.5 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109160483B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 刘子维;史丽娜;浦探超;牛洁斌;李海亮;王冠亚;谢常青;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B82Y20/00;G01N21/41 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开一种纳米柱传感器、折射率检测装置及方法，所述纳米柱传感器包括：衬底、设置在所述衬底上的多个传感单元；所述多个传感单元在所述衬底上以预设间隔周期分布；所述多个传感单元中的每个传感单元包括多个纳米柱；其中，入射光照射到所述多个传感单元上时，根据所述多个传感单元产生的磁共振信号来确定所述纳米柱传感器所在空间的背景折射率。上述方案，能够提升纳米柱传感器的敏感度，且结构简单，易实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 传感器 折射率 检测 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米柱传感器，其特征在于，所述传感器包括：衬底和设置在所述衬底上的多个传感单元；所述多个传感单元在所述衬底上以预设间隔周期分布；所述多个传感单元中的每个传感单元包括多个纳米柱；其中，入射光照射到所述多个传感单元上时，根据所述多个传感单元产生的磁共振信号来确定所述纳米柱传感器所在空间的背景折射率。
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