[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201810895152.0 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110299344B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 筑山慧至;小柳胜;伊东干彦;河崎一茂 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供一种能够实现高速信号收发的半导体装置。半导体装置具备：基底部件；以及多个半导体芯片，积层在基底部件上，且经由连接部件相互电连接；多个半导体芯片中的第1半导体芯片包含：半导体衬底，具有元件面及其相反侧的背面；功能层，设置在元件面上；以及多个贯通电极，在半导体衬底中从背面延伸到元件面，电连接于功能层；第1半导体芯片经由连接于多个贯通电极的连接部件而电连接于多个半导体芯片中相邻的第2半导体芯片；功能层包含：第1接触垫；以及第2接触垫，位于多个半导体芯片的积层方向上的半导体衬底与第1接触垫之间的层级；多个贯通电极包含：第1贯通电极，连接于第1接触垫；以及第2贯通电极，连接于第2接触垫。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：基底部件；以及多个半导体芯片，积层在所述基底部件上，经由连接部件而相互电连接；且所述多个半导体芯片中的第1半导体芯片包含：半导体衬底，具有元件面及其相反侧的背面；功能层，设置在所述元件面上；以及多个贯通电极，在所述半导体衬底中从所述背面延伸到所述元件面，电连接于所述功能层；所述第1半导体芯片经由连接于所述多个贯通电极的所述连接部件而电连接于所述多个半导体芯片中相邻的第2半导体芯片；所述功能层包含：第1接触垫；以及第2接触垫，位于所述多个半导体芯片的积层方向上的所述半导体衬底与所述第1接触垫之间的层级；所述多个贯通电极包含：第1贯通电极，连接于所述第1接触垫；以及第2贯通电极，连接于所述第2接触垫。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司，未经铠侠股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810895152.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：测量标记与监测半导体制作工艺的方法
