[发明专利]太赫兹波段速调管调谐系统有效
申请号: | 201810906219.6 | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN109119309B | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 王冰冰;王芮;赵艳珩;刘鲁伟;沈旭东;袁璟春;卢希跃;侯信磊;杨业汕;吴云龙;余才 | 申请(专利权)人: | 安徽华东光电技术研究所有限公司 |
主分类号: | H01J23/20 | 分类号: | H01J23/20;H01J23/22 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 张苗 |
地址: | 241000 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种太赫兹波段速调管调谐系统,该太赫兹波段速调管调谐系统包括调谐槽和调谐腔,调谐腔通过连接孔连接多个谐振腔;调谐腔内的连接孔位于每个谐振腔的一侧与谐振腔同轴设置;调谐槽的槽底设置为无氧铜薄板,无氧铜薄板的两侧分别位于调谐腔和调谐槽内;调谐槽的槽口盖设有固定盖板,固定盖板上一字排列有多个螺纹孔,多个调谐杆组件自调谐槽的外部顺次贯穿螺纹孔、调谐槽、无氧铜薄板、调谐腔和谐振腔;其中,调谐杆组件位于螺纹孔的位置螺接于螺纹孔,位于无氧铜薄板的位置固接于无氧铜薄板。该太赫兹波段速调管调谐系统能够实现THz波段扩展互作用速调管谐振腔谐振频点的调节。 | ||
搜索关键词: | 赫兹 波段 速调管 调谐 系统 | ||
【主权项】:
1.一种太赫兹波段速调管调谐系统,其特征在于,所述太赫兹波段速调管调谐系统包括调谐槽和调谐腔,所述调谐腔通过连接孔连接多个谐振腔;所述调谐腔位于每个所述谐振腔的一侧,所述调谐槽的槽底设置为无氧铜薄板(3),所述无氧铜薄板(3)的两侧分别位于所述调谐腔和调谐槽内;所述调谐槽的槽口盖设有固定盖板(1),所述固定盖板(1)上一字排列有多个螺纹孔,多个调谐杆组件(2)自所述调谐槽的外部顺次贯穿螺纹孔、调谐槽、无氧铜薄板、调谐腔和谐振腔;其中,所述调谐杆组件(2)位于所述螺纹孔的位置螺接于所述螺纹孔,位于所述无氧铜薄板(3)的位置固接于所述无氧铜薄板(3)上。
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- 本发明涉及一种用于氢原子频标用微波腔及降低微波腔温度系数的方法,该微波腔包括,叶片、支柱、腔体、腔盖,所述腔体的上下端分别设置有腔盖,所述腔体内设置有叶片,该叶片通过所述支柱与腔体连接。该微波腔由分体部分组合而成,加工简单,成本低,表面抛光精度高,能获得较高的Q值,同时兼具磁控管微波腔良好的力学稳定性和开槽腔的频率调谐方便等优点,比同等体积的磁控管微波腔的重量更小,无载Q值高约10%。
- 一种适用于大功率耦合腔行波管的衰减瓷结构-201320361717.X
- 邓清东;宋田英;张丽 - 安徽华东光电技术研究所
- 2013-06-21 - 2014-01-08 - H01J23/20
- 本实用新型公开了一种适用于大功率耦合腔行波管的衰减瓷结构,包括极靴及设在极靴间的吸收瓷,其特征在于:所述吸收瓷包括内孔直径依次减小或依次增大的分体瓷,相邻的分体瓷间设有间隔铜环,内孔直径最大的分体瓷与所述极靴间设有间隔铜环;在所述分体瓷及间隔铜环外套有套环,所述套环两端分别与所述极靴连接;该适用于大功率耦合腔行波管的衰减瓷结构,将原整体的吸收瓷分成多片分体瓷,采用分体渐变设计,将吸收瓷的内孔加工成渐变尺寸;能有效的传导吸收返波产生的热量,使吸收瓷工作在温度稳定状态,提高了行波管的工作稳定性和可靠性的适用于大功率耦合腔行波管的衰减瓷结构。
- 一种用于氢原子频标用微波腔-201220286773.7
- 陈海波;李晶;刘亚轩;刘朝华;高连山 - 北京无线电计量测试研究所
- 2012-06-15 - 2012-12-12 - H01J23/20
- 本实用新型涉及一种用于氢原子频标用微波腔,该微波腔包括,叶片、支柱、腔体、腔盖,所述腔体的上下端分别设置有腔盖,所述腔体内设置有叶片,该叶片通过所述支柱与腔体连接。该微波腔由分体部分组合而成,加工简单,成本低,表面抛光精度高,能获得较高的Q值,同时兼具磁控管微波腔良好的力学稳定性和开槽腔的频率调谐方便等优点,比同等体积的磁控管微波腔的重量更小,无载Q值高约10%。
- 一种小型化的功率增益均衡器-201220171549.3
- 王志刚;王欢;延波;徐锐敏 - 电子科技大学
- 2012-04-20 - 2012-12-05 - H01J23/20
- 本实用新型涉及一种小型化的功率增益均衡器,包括从上到下依次层叠的微带层、第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层、第三介质层和第三金属层;所述第一金属化通孔穿过第一过孔与第一金属化沉孔相接形成探针结构,该探针结构顶部与第一金属连接板相接;所述第三金属化通孔穿过第三过孔与第二金属化沉孔相接形成探针结构,该探针结构顶部与第三金属连接板相接;所述第二金属化通孔穿过第一过孔与金属化通孔相接,再穿过过孔与金属化沉孔相接形成探针结构,该探针结构顶部与第一金属连接板相接。其有益效果:采用低温共烧陶瓷技术将谐振腔埋置在多层介质基板中,并用立体的错层排列方式减小了平面所占体积,实现了小型化的目的。
- 一种小型化的功率增益均衡器-201210118245.5
- 王志刚;王欢;延波;徐锐敏 - 电子科技大学
- 2012-04-20 - 2012-08-22 - H01J23/20
- 本发明涉及一种小型化的功率增益均衡器,包括从上到下依次层叠的微带层、第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层、第三介质层和第三金属层;所述第一金属化通孔穿过第一过孔与第一金属化沉孔相接形成探针结构,该探针结构顶部与第一金属连接板相接;所述第三金属化通孔穿过第三过孔与第二金属化沉孔相接形成探针结构,该探针结构顶部与第三金属连接板相接;所述第二金属化通孔穿过第一过孔与金属化通孔相接,再穿过过孔与金属化沉孔相接形成探针结构,该探针结构顶部与第一金属连接板相接。其有益效果:采用低温共烧陶瓷技术将谐振腔埋置在多层介质基板中,并用立体的错层排列方式减小了平面所占体积,实现了小型化的目的。
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