[发明专利]薄膜沉积方法及炉管装置在审

专利信息
申请号: 201810920325.X 申请日: 2018-08-14
公开(公告)号: CN109023309A 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 陈伯廷;吴宗祐;林宗贤 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: C23C16/46 分类号: C23C16/46;C23C16/52
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;陈丽丽
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种薄膜沉积方法及炉管装置。所述薄膜沉积方法,包括如下步骤:提供一晶圆,所述晶圆位于持续喷射反应气体的晶舟内;对所述晶圆加热,以形成第一膜层于所述晶圆表面,所述第一膜层的厚度沿所述晶圆中心指向边缘的方向逐渐增大;对所述晶圆降温,以形成沿所述晶圆轴向方向层叠于所述第一膜层表面的第二膜层,所述第二膜层的厚度沿所述晶圆中心指向边缘的方向逐渐减小。本发明沉积于晶圆表面的薄膜的厚度分布更加均匀,确保了晶圆产品的良率。
搜索关键词: 晶圆 薄膜沉积 第一膜层 晶圆表面 晶圆中心 炉管装置 膜层 指向 半导体制造技术 喷射反应气体 厚度分布 晶圆产品 轴向方向 逐渐减小 逐渐增大 沉积 晶舟 良率 薄膜 加热
【主权项】:
1.一种薄膜沉积方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一晶圆,所述晶圆位于持续喷射反应气体的晶舟内;对所述晶圆加热,以形成第一膜层于所述晶圆表面,所述第一膜层的厚度沿所述晶圆中心指向边缘的方向逐渐增大;对所述晶圆降温,以形成沿所述晶圆轴向方向层叠于所述第一膜层表面的第二膜层,所述第二膜层的厚度沿所述晶圆中心指向边缘的方向逐渐减小。
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