[发明专利]一种低氧含量的氮化硼陶瓷的制备方法在审
| 申请号： | 201811246908.5 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109293369A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 黄向东;胡昌凯;林枞;陈昌波 | 申请（专利权）人： | 福州赛瑞特新材料技术开发有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/583 | 分类号： | C04B35/583;C04B35/622;C04B35/645 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350002 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低氧含量的氮化硼陶瓷的制备方法，将氮化硼粉体在气氛下热处理后再进行热压烧结，在热压烧结过程中通入氮气促进氧化硼的挥发，从而制得低氧含量的氮化硼陶瓷，其氧含量低于0.1wt%。该方法工艺简单，性能稳定，生产成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硼陶瓷 低氧 热压烧结 制备 氮气 氮化硼粉体 生产成本低 热处理 氧化硼 挥发 | ||
【主权项】：
1.一种低氧含量的氮化硼陶瓷的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：（1）粉体预处理：将六方氮化硼粉体进行球磨分散，将球磨后的粉体过筛并干燥；（2）粉体预烧：将干燥后的粉体捣碎后放置在氮化硼坩埚中，再将氮化硼坩埚置于气氛烧结炉中加热预烧至1500‑2200°C，保温1‑12小时，经预烧后的粉体中氧含量小于0.1wt%；（3）粉体二次球磨：将预烧后的粉体进行二次球磨分散，将二次球磨后的粉体过筛并干燥；（4）烧成：将二次球磨后的粉体在热压炉中进行烧结，烧结温度为1800‑2200°C，烧结时间为2‑12小时，施加压力为20‑100MPa，得到低氧含量的氮化硼陶瓷。
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