[发明专利]集成电路及其制造方法

摘要

本申请的各个实施例针对集成电路及其制造方法，其中，自举金属氧化物半导体(MOS)器件与高电压金属氧化物半导体(HVMOS)器件和高电压结终端(HVJT)器件集成。在一些实施例中，漂移阱位于半导体衬底中。漂移阱具有第一掺杂类型并且具有环形顶部布局。第一切换器件位于漂移阱上。第二切换器件位于半导体衬底上、漂移阱的侧壁中的凹口处。外围阱位于半导体衬底中并且具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型。外围阱围绕漂移阱、第一切换器件和第二切换器件，并且进一步将第二切换器件与漂移阱和第一切换器件分隔开。

主权项

1.一种集成电路，包括：半导体衬底；漂移阱，位于所述半导体衬底中，其中，所述漂移阱具有第一掺杂类型并且具有环形顶部布局；第一切换器件，位于所述漂移阱上；第二切换器件，位于所述半导体衬底上、所述漂移阱的侧壁中的凹口处；以及外围阱，位于所述半导体衬底中并且具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，其中，所述外围阱围绕所述漂移阱、所述第一切换器件和所述第二切换器件，并且，所述外围阱将所述第二切换器件与所述漂移阱分隔开。