[发明专利]发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201811475701.5 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111276595A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 洪梓健;凃博闵;陈学龙;沈佳辉 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 习冬梅;薛晓伟 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管，包括：一基板；一外延结构，其包括依次形成在所述基板上的n型半导体层、活性层及p型半导体层，所述外延结构设有第一凹陷部与第二凹陷部，其中所述第一凹陷部延伸至所述n型半导体层；一吸光材料，其设于所述第二凹陷部中；一n型电极，其设于所述第一凹陷部并与所述n型半导体层形成欧姆接触；一p型电极，其与所述p型半导体层形成欧姆接触；所述p型电极、所述吸光材料及所述n型电极依次间隔设置。本发明的发光二极管出光均匀。本发明还提供一种发光二极管制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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