[发明专利]一种以浓厚卤水为原料制取生产高品质半水硫酸钙晶须的方法在审
| 申请号： | 201811477902.9 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN110257915A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 唐娜;项军;黑云皓;杜威;李富华;张蕾;程鹏高;王松博 | 申请（专利权）人： | 天津科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B29/62;C30B7/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300222 天津市河*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以浓厚卤水为原料制取生产高品质半水硫酸钙晶须的方法，以海盐生产工艺流程中，氯化钾生产车间产出的浓厚卤水为原料，经由活性炭吸附过滤、加入氯化钙得到硫酸钙沉淀过滤、有机溶剂和清水洗涤后得到COD小于1的料浆，料浆混合饱和硫酸钙溶液，加入晶型助长剂，经水热反应生成半水硫酸钙晶须，过滤干燥后得到平均长径比大于400的半水硫酸钙晶须产品。本发明以废弃的浓厚卤水为原材料生产高品质半水硫酸钙晶须，生产成本低廉，环境友好，产品质量稳定，易于工业化生产。无需酸处理、煅烧等操作，无固体废弃物产生。浓厚卤水由于去除了硫酸根离子，后续卤水可进一步生产精制氯化镁，相关工艺达到零排放。 | ||
| 搜索关键词： | 卤水 半水硫酸钙晶须 高品质 制取 过滤 氯化镁 饱和硫酸钙溶液 生产 固体废弃物 活性炭吸附 晶型助长剂 硫酸钙沉淀 硫酸根离子 氯化钾生产 平均长径比 过滤干燥 海盐生产 环境友好 料浆混合 清水洗涤 有机溶剂 质量稳定 工艺流程 零排放 氯化钙 热反应 酸处理 料浆 煅烧 精制 生产成本 废弃 车间 | ||
【主权项】：
1.一种以浓厚卤水为原料制取生产高品质半水硫酸钙晶须的方法，其特征在于所述方法包括以下过程：原料为海盐行业氯化钾生产车间排放的含有大量氯化镁与硫酸镁的浓厚卤水，原料经由活性炭吸附过滤、加入氯化钙得到硫酸钙沉淀过滤、分别用有机溶剂和清水洗涤后得到COD小于1的料浆，将料浆加入盛有饱和硫酸钙溶液的反应釜中，加入晶型助长剂，在搅拌条件下经水热反应下生成半水硫酸钙晶须，经过滤干燥后得到平均长径比大于400的半水硫酸钙晶须产品。
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α＝90°，β＝90°，γ＝90°，
Z＝16。本申请的晶体具有优良的非线性光学性能，其粉末倍频强度和激光损伤阈值分别为AgGaS2的0.5倍和5倍。
- 一种晶体材料、其制备方法及包含其的非线性光学晶体-201611108475.8
- 李淑芳;郭国聪;姜小明;徐忠宁;曾卉一 - 中国科学院福建物质结构研究所
- 2016-12-06 - 2019-07-30 - C30B29/46
- 本申请公开了一种晶体材料、其制备方法、包含其的非线性光学晶体材料及其在激光器中的应用。所述晶体材料化学式为[A2M4Q7]n或[AM3Q5]n；A代表Na、K、Rb、Cs中的至少一种；M代表Ga和/或In；Q代表S和/或Se；1≤n≤4。该晶体材料具有优良的红外非线性光学性能，倍频强度可达同粒度商用AgGaS2的7.0倍，激光损伤阈值可达商用AgGaS2(可简写为AGS)的11倍。在中远红外波段激光倍频、和频、差频、光参量振荡等变频器件方面，具有重要的应用价值。
- 硫锡锌锶化合物、硫锡锌锶非线性光学晶体及制备方法和应用-201910358848.4
- 梅大江;吴远东;操汪柱;张怡玲;陆杰 - 上海工程技术大学
- 2019-04-30 - 2019-07-26 - C30B29/46
- 本发明涉及硫锡锌锶化合物、硫锡锌锶非线性光学晶体及制备方法和应用，该硫锡锌锶化合物的化学式为SrZnSnS4，通过高温固相法制备得到；相应的硫锡锌锶非线性光学晶体以硫锡锌锶化合物为原料，采用高温熔体自发结晶法生长得到。与现有技术相比，本发明得到的非线性光学晶体具有晶体品质良好，生长成本低，过程简单，易获得大尺寸晶体等优点；高温法生长得到的非线性光学晶体具有较强的硬度，良好的机械性能，在空气中很稳定，具有较宽的透过波段和优良的非线性光学效应，可用于制作非线性光学器件。
- 一种四元硫化物半导体材料及其制备方法和用途-201710967035.6
- 刘毅;沈亚英;刘畅;候佩佩;洪樟连 - 浙江大学
- 2015-03-31 - 2019-07-23 - C30B29/46
- 本发明公开了一种四元硫化物半导体材料及其制备方法和用途。以碱金属化合物、金属铜、二元固溶体硫化锑和单质硫为原料，水合肼和聚乙二醇为溶剂，在120‑190℃烘箱中反应4‑9天，得到四元硫化物半导体材料。化学组成式为：RbCuSb2S4，属于单斜晶系，空间群是C12/c1，
β＝105.75°，Z＝4，
能隙为1.74eV。本方法具有操作过程简单，原料成本低，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本方法得到的四元硫化物，产率可达到60％‑90％，晶粒尺寸为150‑300μm，化学纯度高，用于制备光学半导体器件。
- 一种单层硒化铜二维原子晶体材料及其制备方法和用途-201910355054.2
- 卢建臣;林晓;高蕾;钱凯;张帅;杜世萱;高鸿钧 - 中国科学院物理研究所
- 2019-04-29 - 2019-07-19 - C30B29/46
- 本发明提供一种单层硒化铜二维原子晶体材料，其表面具有由晶格失配形成的一维摩尔条纹结构，所述一维摩尔条纹的周期为1.8nm，在所述单层硒化铜二维原子晶体材料的二维平面内，铜原子和硒原子以交替形式形成周期性的六角蜂窝状结构，所述六角蜂窝状结构的晶格周期为在一个高对称方向为0.44nm，在另外两个高对称方向为0.41nm。本发明还涉及所述单层硒化铜二维原子晶体材料的制备方法和用途。本发明的单层硒化铜二维原子晶体材料为一种双组分二维蜂窝状晶体材料，其电子在硒化铜中呈现“节线型”狄拉克费米子能带结构。本发明的单层硒化铜二维原子晶体材料作为一种新的电学材料可用于构筑无耗散的电子器件。
- 硫锗镓铅化合物、硫锗镓铅晶体及其制备方法和用途-201710113036.4
- 尹文龙;余盛全;张羽;谢婧;窦云巍;袁泽锐;唐明静;方攀;陈莹;康彬 - 中国工程物理研究院化工材料研究所;四川省新材料研究中心
- 2017-02-28 - 2019-06-21 - C30B29/46
- 本发明公开了一种硫锗镓铅化合物，所述硫锗镓铅化合物的化学式是PbGa2GeS6。本发明还公开了所述硫锗镓铅化合物的制备方法。进一步的，本发明还公开了一种硫锗镓铅晶体，该晶体的化学式是PbGa2GeS6。本发明还公开了所述硫锗镓铅晶体的制备方法和用途。本发明的硫锗镓铅红外非线性光学晶体的生长中晶体易长大且无包裹，具有生长速度较快，成本低，容易获得较大尺寸晶体等优点；所获得的硫锗镓铅红外非线性光学晶体具有比较宽的红外透光波段、机械性能好、易于加工和保存等优点；该硫锗镓铅晶体可用于制作红外激光变频器件。
- 一种通过多次溶剂热生长控制拓扑绝缘体纳米片尺寸的方法-201910131441.8
- 费付聪;宋凤麒;步海军;曹路;张敏昊;张同庆 - 南京大学
- 2019-02-22 - 2019-06-14 - C30B29/46
- 一种通过多次溶剂热生长控制拓扑绝缘体纳米片尺寸的方法，第一步，通过传统的溶剂热法合成直径约为500±200纳米左右的六角形Bi2Te3纳米片。第二步，将第一步合成的产物投入前驱液，进行第二次溶剂热合成；或再将第二步合成的产物投入前驱液，进行第三次溶剂热合成。通过生长次数的变化，有效对拓扑绝缘体纳米片尺寸进行控制。第一步生长使用预先配制的前驱液作为反应原料，其中含有产物所需的化学元素及适当的表面活性剂；第二步使用前驱液与第一步溶剂热合成的产物混合，作为第二步反应原料；后续步骤则重复使用前驱液与前一步的合成产物混合，作为反应原料进行溶剂热合成。
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