[发明专利]光掩模和制造光掩模的方法在审
| 申请号： | 201811502452.4 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109901358A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 徐焕锡;李明秀;李炳勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38;G03F1/42;G03F1/44;G03F1/54;G03F1/72 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波;翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种光掩模及其制造方法。该光掩模包括：低热膨胀材料(LTEM)基板，包括第一表面和第二表面；设置在低热膨胀材料基板的第一表面上并且包括交替堆叠的第一材料层和第二材料层的反射层；在反射层上的光吸收图案；和在低热膨胀材料基板的第二表面上的导电层，其中低热膨胀材料基板包括校正光吸收图案的校正缺陷，并且导电层由钌氧化物(RuO2)、铱氧化物(IrO2)和/或其组合中的一种形成。 | ||
| 搜索关键词： | 低热膨胀材料 光掩模 基板 第二表面 第一表面 导电层 反射层 光吸收 校正 图案 第二材料层 第一材料 交替堆叠 铱氧化物 钌氧化物 制造 | ||
【主权项】：
1.一种光掩模，包括：低热膨胀材料基板，包括与所述低热膨胀材料基板的第二表面相反的第一表面；在所述低热膨胀材料基板的所述第一表面上的反射层，所述反射层包括交替堆叠的第一材料层和第二材料层；在所述反射层上的光吸收图案；和在所述低热膨胀材料基板的所述第二表面上的导电层，其中所述低热膨胀材料基板包括有意形成在所述低热膨胀材料基板中以校正所述光吸收图案的校正缺陷，以及其中所述导电层包括钌氧化物(RuO2)、铱氧化物(IrO2)和/或其组合中的一种。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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