[发明专利]底注式真空定向凝固炉及其使用方法在审

专利信息
申请号: 201811546126.3 申请日: 2018-12-18
公开(公告)号: CN109930196A 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 宋静思;孙足来;张哲魁;陈久强 申请(专利权)人: 沈阳真空技术研究所有限公司
主分类号: C30B15/08 分类号: C30B15/08;C30B15/10;C30B15/14;C30B29/52
代理公司: 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 代理人: 郭元艺
地址: 110000 辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明属真空精密铸造设备领域,尤其涉及一种底注式真空定向凝固炉及其使用方法,包括红外测温仪(1)、夹爪传动机构(2)、加料仓(3)、熔炼室(6)及模壳室(14);红外测温仪(1)置于夹爪传动机构(2)的上端;夹爪传动机构(2)的下部工作端纵向穿过加料仓(3)的内腔且与夹爪(7)固定相接;在熔炼室(6)内与夹爪(7)对应位置固定设有感应器(9);在感应器(9)的下部固定设有模壳加热器(11);在壳加热器(11)的底部固定设有水冷环(12);在模壳室(14)的底部依次纵向设有水冷结晶器(16)及模壳抽拉系统(17)。本发明无旋转翻转机构,可靠性好,生产效率高,可有效避免累积性污染。
搜索关键词: 夹爪 模壳 真空定向凝固炉 加热器 红外测温仪 底注式 感应器 加料仓 熔炼室 精密铸造设备 水冷结晶器 抽拉系统 翻转机构 固定相接 生产效率 纵向穿过 工作端 累积性 水冷环 上端 内腔 污染
【主权项】:
1.一种底注式真空定向凝固炉,其特征在于,包括红外测温仪(1)、夹爪传动机构(2)、加料仓(3)、熔炼室(6)及模壳室(14);所述加料仓(3)的底部经加料隔离阀(4)与熔炼室(6)的顶部垂直相接;所述熔炼室(6)的底部经隔离翻板阀(13)与模壳室(14)的顶部垂直相接;所述红外测温仪(1)置于夹爪传动机构(2)的上端;所述夹爪传动机构(2)的下部工作端纵向穿过加料仓(3)的内腔且与夹爪(7)固定相接;在所述熔炼室(6)内与夹爪(7)对应位置固定设有感应器(9);在所述感应器(9)的下部固定设有模壳加热器(11);在所述模壳加热器(11)的底部固定设有水冷环(12);在所述模壳室(14)的底部依次纵向设有水冷结晶器(16)及模壳抽拉系统(17)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳真空技术研究所有限公司,未经沈阳真空技术研究所有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811546126.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 底注式真空定向凝固炉-201822119804.X
  • 宋静思;孙足来;张哲魁;陈久强 - 沈阳真空技术研究所有限公司
  • 2018-12-18 - 2019-08-09 - C30B15/08
  • 本实用新型属真空精密铸造设备领域,尤其涉及一种底注式真空定向凝固炉,包括红外测温仪(1)、夹爪传动机构(2)、加料仓(3)、熔炼室(6)及模壳室(14);红外测温仪(1)置于夹爪传动机构(2)的上端;夹爪传动机构(2)的下部工作端纵向穿过加料仓(3)的内腔且与夹爪(7)固定相接;在熔炼室(6)内与夹爪(7)对应位置固定设有感应器(9);在感应器(9)的下部固定设有模壳加热器(11);在壳加热器(11)的底部固定设有水冷环(12);在模壳室(14)的底部依次纵向设有水冷结晶器(16)及模壳抽拉系统(17)。本实用新型无翻转机构,可靠性好,生产效率高,可有效避免累积性污染。
  • 一种稀土元素铈掺杂的闪烁晶体及其制备方法-201910343553.X
  • 潘建国;俞云耀;潘尚可;耿巨峰;王昊宇;李嫚 - 宁波大学
  • 2019-04-26 - 2019-07-12 - C30B15/08
  • 本发明公开了一种稀土元素铈掺杂的闪烁晶体及其制备方法,特点是其化学结构式为:MY2X7:Ce,其中M=K,Cs,Rb;X=Cl,Br,制备方法包括以下步骤:(1)将低纯度原料MX、CeX3和YX3原料分别装入大尺寸石英坩埚中,抽真空并加热到250℃保温2小时;密封石英坩埚装入坩埚下降炉中,升温充分熔融下降,得到高纯MX、CeX3和YX3原料;再按摩尔比MX:YX3:CeX3=1:2:0.001混匀抽真空加热烧结得到无水MY2X7:Ce多晶料;(2)将含有无水MY2X7:Ce多晶料的石英坩埚放入坩埚下降炉,升温加热再下降直至完全凝固,再降至室温即得到闪烁晶体,优点是颗粒尺寸大且吸水潮解性低。
  • 底注式真空定向凝固炉及其使用方法-201811546126.3
  • 宋静思;孙足来;张哲魁;陈久强 - 沈阳真空技术研究所有限公司
  • 2018-12-18 - 2019-06-25 - C30B15/08
  • 本发明属真空精密铸造设备领域,尤其涉及一种底注式真空定向凝固炉及其使用方法,包括红外测温仪(1)、夹爪传动机构(2)、加料仓(3)、熔炼室(6)及模壳室(14);红外测温仪(1)置于夹爪传动机构(2)的上端;夹爪传动机构(2)的下部工作端纵向穿过加料仓(3)的内腔且与夹爪(7)固定相接;在熔炼室(6)内与夹爪(7)对应位置固定设有感应器(9);在感应器(9)的下部固定设有模壳加热器(11);在壳加热器(11)的底部固定设有水冷环(12);在模壳室(14)的底部依次纵向设有水冷结晶器(16)及模壳抽拉系统(17)。本发明无旋转翻转机构,可靠性好,生产效率高,可有效避免累积性污染。
  • 一类晶体光纤材料-201810678824.2
  • 王燕;涂朝阳;游振宇;李坚富;朱昭捷 - 中国科学院福建物质结构研究所
  • 2018-06-27 - 2018-11-16 - C30B15/08
  • 本申请公开了一类三价稀土离子RE(包括Er3+、Ho3+、Dy3+、Nd3+)等激活的ABC3O7构型的晶体光纤材料,其特征在于:所述晶体光纤属于黄长石结构,分子式为RExAB1‑xC3O7,其中,A为Ca,Sr,Ba中的至少一种,B为Y,La,Gd中的至少一种,C为Ga,Al中的至少一种;RE3+的掺杂浓度x=0.01~0.5,取代晶体光纤中的B。该类晶体光纤可采用微下拉法生长得到,用于实现全波段(包括可见、红外、近红外和中红外波段)激光输出。
  • 一种晶体生长方法和设备-201610056010.6
  • 王彪;朱允中;林少鹏 - 中山大学
  • 2016-01-26 - 2018-10-30 - C30B15/08
  • 本发明公开了一种晶体生长方法,包括S1:捕获下晶温度;S2:使坩埚温度达到步骤S1中下晶温度;S3:根据坩埚温度以及籽晶质量变化进行下晶操作;具体的,对盛放晶体材料的坩埚进行加热,使其以一定升温速率恒速升温至目标温度;获取升温过程中的坩埚温度随时间变化所形成的曲线,选取曲线中斜率最大的点对应的温度为下晶温度;使坩埚温度达到下晶温度;缓慢下移籽晶;当籽晶质量发生变化时,继续缓慢下移达到下晶深度;根据籽晶质量变化微调坩埚温度。本发明的晶体生长方法,可利用升温过程中温度随时间变化曲线获取晶体准确下晶温度;并且避免在下晶过程中由保温系统的温度梯度对籽晶造成热冲击,根据籽晶质量变化随时调整适合的温度。
  • 基于光学的微下拉炉籽晶对中调节方法-201810007665.3
  • 屈菁菁;丁雨憧;付昌禄 - 中国电子科技集团公司第二十六研究所
  • 2018-01-04 - 2018-06-22 - C30B15/08
  • 本发明公开了一种基于光学的微下拉炉籽晶对中调节方法,包括如下步骤:1)安装摄像头,该摄像头经图像传感器和通讯模块后与监控终端图像连接;2)通过摄像头采集坩埚图像;3)放入籽晶杆,然后通过摄像头采集籽晶杆的图像;4)进行图像清晰度计算;5)将图像的清晰度发送至监控终端;6)监控终端判断坩埚距摄像头的距离值大小和籽晶杆距摄像头的距离值大小是否一致;7)工作人员前后调节籽晶杆;8)重复步骤4)—7),直至籽晶杆与坩埚对中;9)引晶生长过程中,重复步骤4)—8)。本发明能够快速判断籽晶与坩埚是否对中,从而及时调节籽晶杆与坩埚之间的位置,从而保证晶体的生长质量和稳定性。
  • 一种微下拉炉温场安装机构-201720310270.1
  • 屈菁菁;丁雨憧;何晔;王瑞;付昌禄 - 中国电子科技集团公司第二十六研究所
  • 2017-03-28 - 2017-11-14 - C30B15/08
  • 本实用新型公开了一种微下拉炉温场安装机构,包括机架和炉膛,所述炉膛安装在机架的上方,还包括一温场安装板,在温场安装板下方设有一移动托板,所述温场安装板与移动托板固定连接;在移动托板下方设有一升降机构,所述升降机构包括升降电机、传动丝杆以及导轨;所述导轨竖直设于机架的一侧,在导轨上设有一滑块,所述移动托板通过一L型连接块与该滑块相连在传动丝杆上设有一丝杆螺母,所述丝杆螺母与连接块固定连接,从而使驱动电机能够带动支撑板沿导轨上下移动。本实用新型结构简单,能够方便、高效地进行温场的安装、布置,从而使微下拉炉的温场均匀性更好。
  • 一种微下拉炉籽晶杆位置调节结构-201720310812.5
  • 屈菁菁;丁雨憧;何晔;王瑞;付昌禄 - 中国电子科技集团公司第二十六研究所
  • 2017-03-28 - 2017-11-14 - C30B15/08
  • 本实用新型公开了一种微下拉炉籽晶杆位置调节结构,包括机架、炉膛、籽晶杆、籽晶杆座、支撑板以及驱动机构;所述支撑板位于炉膛的下方,并与驱动机构相连,在支撑板上设有一XY轴移动平台,所述籽晶杆座安装于所述XY轴移动平台上,通过该XY轴移动平台能够在水平方向上调整籽晶杆座的位置;所述籽晶杆竖直设于籽晶杆座上,其下端与籽晶杆座固定连接,通过调节XY轴移动平台,能够使籽晶杆与炉膛底部的引晶孔正对。本实用新型结构简单,使用方便,能够晶体生长前和生长过程中对籽晶杆的位置进行调节,从而提高晶体的生长质量。
  • 一种调节微下拉晶体生长温度梯度的装置及方法-201510655669.9
  • 陶绪堂;贾志泰;原东升;李阳;张健;高泽亮 - 山东大学
  • 2015-10-12 - 2015-12-02 - C30B15/08
  • 本发明涉及一种调节微下拉晶体生长温度梯度的装置,该装置采用石墨、钼或钨材料制成,安装在微下拉晶体生长装置的固液界面区至低温区之间,该装置包括管状发热体和固定座,固定座固定设置在管状发热体外表面,可针对不同晶体材料生长时所需的温场分布,设计相应的异型结构,可在电磁感应下发热。与现有微下拉技术相比,该装置可有效实现固液界面附近温度梯度的精细调节与优化,该装置采用价格低廉的石墨、钼、钨等材料制作而成,材料来源广泛、成本低,结构简单,其对温梯区的轴向温度分布起积极调节作用,为高质量单晶的生长提供最为适宜的温度梯度分布,从而提高了晶体质量及成品率。
  • 一种用于单晶炉的保温筒以及具有其的单晶炉-201020263705.X
  • 王敬 - 王敬
  • 2010-07-13 - 2011-05-04 - C30B15/08
  • 本实用新型公开了一种保温筒,用于单晶炉,其特征在于,在所述保温筒的内层的内侧形成有热反射层,其中,所述热反射层的材料选择成、对入射到所述热反射层上的热量的反射量大于将所述热量入射到所述保温筒的内层上时的反射量。通过本实用新型的保温筒可以将辐射到保温筒的热量再有效地反射回到炉体内部,从而在一定程度上解决热量浪费的问题,降低热功耗。本实用新型进一步公开了具有所述保温筒的单晶炉。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top